氮化物的特性

氮是具有最高电负性的元素之一，只有氧，氟和氯比它更高。这就意味着氮化物由一大组化合物构成。它们有广泛的性质和应用。

折射材料

润滑剂，如六方氮化硼—BN

切割材料，如氮化硅—Si3N4

绝缘体，如氮化硼—BN、氮化硅—Si3N4

半导体，如氮化镓—GaN

金属镀膜，如氮化钛—TiN

储氢材料，如氮化锂—Li3N

氮化物可分为离子氮化物、共价氮化物、间隙氮化物及之间的混合类型。

氮化镍是一种n型半导体材料，它是由钴、氮和硅共同构成的复合物。它具有半导体特性，可以用于电子电路和功率电子元件。由于其具有优异的物理性能，氮化镍在微电子器件中具有重要的应用。比如，它可以用作半导体衬底或导电连接件，甚至可以做为活性层或接地层，以改善芯片的功能性能。另外，由于氮化镍具有坚固、耐高温、耐污染的特点，因此它也逐渐被广泛应用于电子元件的制造领域。

对ISSG工艺特性简单分析的基础上讨论了ISSG 氧化物薄膜的可靠性问题。讨论了ISSG工艺及其相关的氮化工艺对NBTI的改善原理。数据表明ISSG工艺及其相关的氮化工艺对NBTI效应有明显的改善作用。由于原子氧的强氧化作用,ISSG工艺中最终得到的氧化物薄膜体内缺陷少,界面态密度也比较小,氧化物薄膜的质量比较高。ISSG氮化工艺与传统炉管氧化物薄膜的氮化工艺的主要区别在于N所集中的位置不一样。ISSG工艺氮化是把等离子态的N +注入到多晶硅栅和SiQ 2的界面,不会增加SiQ 2和Si衬底的界面态,从而可以显著改善NBTI效应。而传统炉管氧化物薄膜的氮化是用NO或者N 2O把N注入到SiQ 2和Si衬底的界面,这样SiQ 2和Si的界面态就会增加,从而增强NBTI效应。 二氧化硅薄膜在集成电路中有着广泛的应用,它既可以作为MOS管的栅氧化层材料,又可以作为集成电器间的绝缘介质。ISSG (In-Situ Steam Generation), 全称原位水气生成,是一种新型低压快速氧化热退火技术(RTP,Rapid Thermal Process),目前主要用于超薄氧化薄膜生长,牺牲氧化层以及氮氧薄膜的制备。 在对ISSG工艺特性做了简单分析的基础上讨论了ISSG 氧化物薄膜的可靠性问题,也讨论了ISSG工艺及其相关的氮化工艺对NBTI的改善原理。

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