熔断器gG和aR的区别？

一、熔断器是根据其功能来划分其工作等级的。此时,第 1 字母表示功能等级,而第 2 字母是表示被保护的对象。

1、第 1 字母

a 局部范围保护 (后备保护熔断器)

g 全范围保护 (一般用途熔断器)

2、第 2 字母

G 电缆和导线保护 (一般应用)

M 开关电器保护(电动机回路的保护)

R 半导体保护 (用作整流器保护)

L 电缆和导线保护(根据 DIN VDE 规定)

二、1、熔断器aR (DIN VDE/IEC) 局部范围的半导体保护

2、熔断器gR (DIN VDE/IEC) 全范围的半导体保护

三、此外,在 DIAZED- 熔断器上还标识"慢动作"与"快动作",IEC/CEE/DIN VDE 中都对此作了规定(DIN 是德国国家标准的代码,类似于中国国家标准号码前会有"GB"字样一样；VDE 是世界权威认证机构,("德国电气工程师协会"的简 称)他们能自己发布安规标准,且他们发布的标准常被采纳为德国国家标准。"VDE DIN"放在德国标准前就是表示此标准是VDE 出版的德国国家标准。 IEC 是国际电工委员会(International Electrotechnical Commission))。

1、"快动作"特性是指熔断器在短路条件下的断开速度要快于工作等级 gL/gG。用于直流-铁道供电系统中的 DIAZED-熔断体为"慢动作"特性,它特别适用于分断具有较大电感的直流电流。

2、熔断器的快动作和慢动作特性也适用于保护电缆和导线,全范围-熔断器(gL/gG、gR、快动作、慢动作),它既能安全可靠地断开过载电流,也能安全地断开短路电流。局部范围熔断器只能用作短路保护 (aM、aR)。

3、字母简介：

gL (DIN VDE)/gG (IEC) 全范围的电缆和导线保护

aM (DIN VDE/IEC) 局部范围的电动机回路保护

aR (DIN VDE/IEC) 局部范围的半导体保护

gR (DIN VDE/IEC) 全范围的半导体保护

Al是铝,金属,但性质有些接近非金属；

Ar是氩,惰性气体；

Ge是锗,金属,但性质有些接近非金属；

Ne是氖,惰性气体.

能做半导体的元素都是在元素周期表上处于金属和非金属交界的元素.惰性气体是一定不行的.因此应该是Al和Ge.

技术，可以提高半导体器件的可靠性和性能。

Al2O3/SiO2和AR硅片退火技术可以改善半导体器件的可靠性和性能，因为它们可以减少热应力，改善器件的结构，改善器件的尺寸精度，改善器件的电性能，以及改善器件的耐久性。Al2O3/SiO2硅片退火技术可以改善半导体器件的结构，改善器件的尺寸精度，改善器件的电性能，以及改善器件的耐久性。AR硅片退火技术可以改善半导体器件的结构，改善器件的尺寸精度，改善器件的电性能，以及改善器件的耐久性。此外，这两种技术还可以改善半导体器件的可靠性，减少器件的损耗，提高器件的稳定性，减少器件的故障率，以及提高器件的可靠性。

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