从加工精度来讲,主要是指套刻精度(最小间距);最小线宽是引线孔尺寸。
因为并无统一的看法,仅供参考。
字面意思直译就可以,金属刻蚀,poly刻蚀,氧化物刻蚀。具体工艺条件无法回答,只能简单的说,这3中刻蚀在半导体行业都是干法刻蚀,也就是dry etch。主要区别在于所有的刻蚀气体不一样,比如,金属刻蚀用CL2,氧化物刻蚀用C4F6,C5F8。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
从加工精度来讲,主要是指套刻精度(最小间距);最小线宽是引线孔尺寸。
因为并无统一的看法,仅供参考。
字面意思直译就可以,金属刻蚀,poly刻蚀,氧化物刻蚀。具体工艺条件无法回答,只能简单的说,这3中刻蚀在半导体行业都是干法刻蚀,也就是dry etch。主要区别在于所有的刻蚀气体不一样,比如,金属刻蚀用CL2,氧化物刻蚀用C4F6,C5F8。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)