(1)降低硬度,改善切削加工性.
(2)降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;
(3)细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。
(4)均匀材料组织和成分,改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
在生产中,退火工艺应用很广泛。根据工件要求退火的目的不同,退火的工艺规范有多种,常用的有完全退火、球化退火、和去应力退火等。
扩展资料:
退火技术:
1、半导体退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区。
所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
2、蒸发电极金属退火
蒸发电极金属以后需要进行退火,使得半导体表面与金属能够形成合金,以接触良好(减小接触电阻)。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点(对于Si-Al合金,为570度)
参考资料来源:百度百科-退火
火加工:火加工岗位一个重要的制造工序,根据半导行业的特殊要求石英制品的加工必须在达 到一定洁净要求的 室内进行加工作业。它采用焊q设备燃烧氢氧气产生高温火焰,对石英制品进行热 加工作业,大多数产 品都依靠手工作业完成。
半导体工厂机加工:
1.使用外延炉等设备,进行气体纯化、四氯化硅精馏,在单晶片上生长单晶层;
2.使用高温炉,在半导体晶体表面制备氧化层,使杂质由晶片表面向内部扩散或进行其他热处理;
3.使用离子注入设备,将掺杂材料的原子或分子电离加速到一定的能量注入到晶体,并退火激活;
4.使用气相淀积设备,在衬底表面淀积一层固态薄膜;
5.使用光刻机在半导体表面掩膜层上刻制图形;
6.使用机械加工等设备,对晶片加工形成器件台面,并对表面作钝化保护;
7.使用电镀设备,对晶片、半导体器件、集成电路、电级材料的某些部位进行镀覆。
半导体激光退火原理漏氧气会形小,升华或分解发生。根据查询相关信息得知,是氧元素形成的一种单质,化学式O,化学性质比较活泼,与大部分的元素能与氧气反应。常温下是很活泼,与许多物质不易作用。高温下很活泼,能与多种元素直接化合,氧原子的电负性仅次于氟有关。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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