然而要做EL,就是电注入的时候,材料的实际结构和品质都会影响电注入的效果,整个荧光过程牵扯到的环节比PL要多很多,再加上材料的耐压性一般不允许注入强度太大,这样自然就不太容易的到很好的荧光光谱。
至于量子效率的问题,一般针对荧光这个过程只讨论内量子效率,内量子效率应该是一样的,如果材料是同一个的话。外量子效率包括的内容就多了,PL和EL的整体量子效率还真不好说,这玩意你得到光谱以后可以算算看,总的量子效率是什么样的,有结果了告诉我一声哈~~~·。
这个和内量子效率没什么关系,只和外量子效率有关,材料结构只要确定,内量子效率都是一样的,激励方式不同,荧光机制就不同,外量子效率的定义就有所不同,所以不大好比较。
我想你要问的就是PL和EL哪个容易得到好的荧光谱,我肯定的告诉你是PL。如果只是研究材料的光谱特性,做PL就成了。但你要把他做成器件,比如LED或是激光器,那不得不去做EL了。
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因为我是学半导体的,所以放射失活的概念我不是很清楚;
我需要说明的是荧光机制的问题,在半导体中,光致发光的机制是光子被吸收,价带电子跃迁上倒带,然后thermalizing(不知道中文怎么讲)至带边,然后自发发射一个光子,导带电子再跃迁回价带。
而电至发光是电子在电场的作用下向异质结边缘或是量子阱中聚集,然后发生了自发发射。
根本原因是光致发光的激励强度(注入强度)比电致发光大很多,但这只是在半岛体材料中的情况,而其他的荧光材料要看他对光和电的耐受能力了。
针对你的问题,你可以查一下你要做的这个材料的特性,看看他的耐压(电压),和能承受的激光功率(以及会不会有特定波长的光让材料变态的情况),综合来考虑。哪种方式的激励强度大,哪种方法得到的荧光普就会强一些,但绝大多数情况是光致发光容易得到好的光谱。
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