半导体有触电危险吗

半导体是很笼统的说法，半导体半导体，意思就是导电能力只有一半，也就意味着还是能导电的。如果是普通的家用电器设备里的半导体，一般都是对直流电进行导向的，最高电压不过一二十伏，不会对人体造成触电危险。但是对于大型设备或高压设备来说，其直流电压可以达到数十上百伏以上，就足以对人体产生危害了。所以，无论出于保护电路的目的还是出于保护人体安全的目的，半导体都不宜直接触摸，因为你显然无法分清半导体的那一部位有电，那一部位是未经导流的原始电流入端，那一部位是经过导流降压的出端，更无法分清电流的强弱。

半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。

半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别 ，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。

温度升高可以加强半导体内部的本征激发强度，借以增大其内部载流子的浓度，此时半导体的导电能力增强；半导体有一种压阻效应，就是随着加载在半导体上的压力变化，半导体的电阻率会随之变化，且二者具有正比关系，此时表现为，压力越大，半导体的导电性能越弱；掺杂即在制作半导体时在其内部掺入相应的杂质元素，这个对半导体的导电能力是具有决定性作用的，如果掺入的是五价元素如磷或砷等，那么在形成共价键的时候就会有一个多余的自由电子，此时半导体内部就会有大量的电子作为载流子，故名n型半导体（negative），若是掺入三价元素，此时半导体内部的四价元素就会有一电子无法成键，形成空穴，空穴带正电性，所以名为p型半导体···目前改善半导体导电性的应该就是这几种方法吧···其余的即使有也是很偏的，用处很少的~

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