pn结中的内在电场是如何释放的

本来是画了图想跟你解释什么是内建电场的，可是传不上来哈！

其实呢，内建电场就是：

P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结，由于扩散运动造成了结面两侧一正一负的空间电荷区，空间电荷区中的电场就叫内建电场。

两端应该是0.1V吧！

半导体分为P型半导体与N型半导体，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结，PN结的阈值电压是0.7V，而在半导体两端只加了0.1V，其处于截止状态，此时它就相当于一个电容，所以两端电压就是你加的电压

从理论计算上来说，二极管正向是一直导通，正向电流是关于正向压降的类指数函数：

当Va很小时，Id很小，近似认为没有电流，二级管是截止的；当va增加到id较为明显时（人为规定的，如1mA）时认为它导通，称对应的Va为正向导通电压VF。由于Id指数增加，所以计算出的VF较小。

受参杂浓度、制作工艺、温度、半导体材料等因素影响VF并非固定不变的，经计算，硅在300K下，一般在0.6-->0.7v左右。通常我们取0.7v（也有的书取0.6v）就可以了。从上面的公式看出当温度升高时，对应的VF也升高，所以说当温度较高时，VF是可能大于0.7v的。参杂浓度也会影响VF，但具体计算比较复杂，不做过多讨论。

上述公式推导涉及半导体物理、器件等内容，比较复杂，具体可以见下面这个ppt上的内容：

网页链接

正向导通电压如图示：

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。

MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。

在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。

扩展资料：

对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。

阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。

参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

---