半导体行业的发展现状与前景如何?

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等。

本文核心数据：第三代半导体分类、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模

行业概况

1、定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。

2、产业链剖析：产业链涉及多个环节

第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片中游包括第三代版奥体设计、晶圆制造和封装测试下游为第三代半导体器件应用，包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下：

第三代产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳、维微科技、科恒晶体、镓铝光电等等从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等从事第三代半导体器件的厂商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。

行业发展历程：兴起的时间较短

中国第三代半导体兴起的时间较短，2013年，科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业。

2016年，为第三代半导体发展元年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。

2018年1月，中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线2018年，泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线2019年9月，三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产。在2020年7月，华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

2020年9月，第三代半导体写入“十四五”规划，行业被推向风口。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元，较2019年同比增长69.5%。

其中，SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元，同比增长54%GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算 6 英寸产能约为22万片/年。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品依赖进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模接近50亿元

2017-2020年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长，2020年，SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元，同比增长90%。

2020年，我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元，SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。

目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场，占比达38%消费类电源(PFC)占22%光伏逆变器占了15%工业及商业电源、不间断电源UPS、快充电源、工业电机分别占6%、3%、3%、1%。

2020年，我国GaN微波射频器件市场规模约为66.1亿元，同比增长57.2%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%其次是无线基础设施，下游市场占比为36%。

行业竞争格局

1、区域竞争格局：江苏省第三代半导体代表性企业分布最多

当前，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。

从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看，第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多，同时山东、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中。

从代表性企业分布情况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。

2、企业竞争格局：主流企业加速扩张布局

经过初期的发展，第三代半导体迅速在新能源汽车、5G基站、PD快充等领域应用，市场规模增长迅速。同时，行业内的竞争也逐渐加剧。为了迎合市场需求，抢占市场地位，国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局，扩充第三代半导体的产能。其中，代表性的主流企业有三安光电、中电科55所、泰科天润等。

行业发展前景及趋势预测

1、2025年行业规模有望超过500亿元

第三代半导体已经写入“十四五”规划。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下，预计到2021-2025年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2025年的近300亿元GaN微波射频器件市场规模将以25.4%的年均复合增长率增长至2025年的205亿元。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。

2、国产化进程将加速

未来，在市场竞争趋势方面，我国第三代半导体行业国产化率将会加深在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。

1、大唐电信

国内前三集成电路公司，内部产业整合基本完成：2013年公司集成电路收入仅次于华为海思、展讯和锐迪科。通过将联芯科技与大唐微电子进行整合，公司基本形成了以联芯，物联网，卡为核心的消费事业群和以安全系统类产品为核心的群，覆盖从消费电子到信息安全的全面芯片布局。

2、振华科技

中国振华电子集团有限公司（简称中国振华），是由始建于上世纪60年代中期国家“三线”建设的083基地不断发展而来的。初期称为“贵州省第四机械工业局”和“电子工业部贵州管理局”，之后一直沿用083基地名称。

3、欧比特

珠海欧比特控制工程股份有限公司是国内具有自主知识产权的高科技企业，公司主要从事于核心宇航电子芯片/系统、微纳卫星星座及卫星大数据、人脸识别与智能图像分析、人工智能系统、微型飞行器及智能武器系统的自主研制生产，服务于航空航天。

4、同方国芯

紫光国芯股份有限公司是紫光集团旗下半导体行业上市公司，专注于集成电路芯片设计开发领域，坚持稳健经营、持续创新、开放合作，是目前国内领先的集成电路芯片设计和系统集成解决方案供应商。

5、上海贝岭

上海贝岭公司创建于1988年9月，在1998年9月改制上市，是中国微电子行业第一家上市公司。是国家改革开放初期成功吸引外资和引进国外先进技术的标志性企业。

外资企业海力士借壳太极上市第一步

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购lg半导体，2001年将公司名称改为（株）海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统ic业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 海力士半导体是世界第二大dram制造商。目前，海力士半导体致力生产以dram和nand flash为主的半导体产品。海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。从太极与海力士设立合资公司这条公开信息来看，公司的营利水平，生产领域将会发生根本性变化，从下面的公开报道来看，我们有理由相信合资公司只是第一步，江苏很可能让韩国海力士借壳太极上市，推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。5月17日，无锡市与韩国（株）海力士半导体公司共同投资建设12英寸大规模集成电路封装测试项目在南正式签约。该项目建成后，将成为国内规模最大、技术最先进的大规模集成电路封装测试企业。省委书记梁保华出席签约仪式，并会见了韩国海力士半导体有限公司长金钟甲一行。 梁保华对海力士新项目的签约表示热烈祝贺，对金钟甲先生来南出席签约仪式表示欢迎。他说，海力士项目落户的无锡市已成为我国重要的微电子产业基地。海力士项目于2005年投资建设以来，经过两次增资扩产，面对当前国际金融危机，再次投资新项目，体现了海力士的远见和信心，标志着海力士在无锡的发展进入了新的阶段。梁保华表示，江苏将坚定不移地扩大对外经济技术合作，努力为所有投资者创造更富有竞争力的环境。他衷心祝愿海力士半导体新项目建设顺利，尽早投产见效。 金钟甲感谢梁保华的热情接待。他说，在江苏省、无锡市府和各有关方面的大力支持下，海力士—恒亿项目发展势头很好。海力士将尽最大的努力，把在无锡的投资项目做成中国最成功的外商投资企业。 由韩国（株）海力士半导体与恒亿半导体共同投资的无锡海力士—恒亿半导体项目，于2005年4月在无锡新区开工建设，经过两次增资后，投资总额达50亿美元，12英寸晶圆实际产能超过20万片，生产工艺从90纳米升级到54纳米的全球领先水平，成为我国最大的半导体生产基地。此次签约的封装测试项目，投资额为3.5亿美元，建成后将形成12万片月封装测试生产配套能力，同时将进一步推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。所以个人认为太极想象空间巨大。

原文,股票之门 http://bbs.gpzm.com/thread-651202-1-1.html

太极实业将涉足半导体行业 与海力士共同设合资公司

2009-7-20 作者： 来源：

太极实业将与海力士投资1.5亿美元设立合资公司，涉足半导体行业。公司目前产业单一,此举有利于公司的多元化经营。

太极实业发布公告称，公司和海力士将共同投资1.5亿美元在无锡设立合资公司。其中，与海力士分别以现金0.825亿美元（约合人民币5.63亿元）和0.675亿美元向合资公司出资，并分别持有合资公司各55%和45%的股权。同时，在合资公司成立之后可以通过银行进行贷款，贷款金额为2亿美元；即合资公司成立后的初始总资产为3.5亿美元（约合人民币23.91亿元）。合资公司将主要从事半导体生产的后工序服务。在合资公司成立之后，合资公司将使用3.05亿美元向海力士和海力士（无锡）购买探针测试和封装相关资产。

公司目前主要从事涤纶工业长丝、涤纶帘子布、帆布产品的研究、开发、生产及销售。从08年的情况看，受经济危机的影响，公司08年四季度生产、销售均受到一定程度的影响。公司目前产业单一，公司此次涉足半导体行业，有利于公司的多元化经营。同时随着公司一系列项目的投入及后续产品结构的调整，公司在工业丝、涤纶帘子布和帆布的市场地位也将会进一步巩固和提升。

公告显示，海力士是在无锡投资最多的外国公司，海力士最早向无锡市提出了本次交易意向。海力士的交易目的包括：集中经营力量于核心产业领域（前工序）；通过在中国构建前/后工序统筹生产体制，提高制造及物流效率；确保具有竞争力的稳定性外包企业。海力士希望合资公司成为其重要的战略伙伴。海力士2008年销售收入相比2007年下滑21%，全年亏损4.7万亿韩元。2008年末海力士金融负债总额高达7.8万亿韩元，净负债率高达130%，其中一年内到期的短期金融负债达2.6万亿韩元，而海力士截至2008年底的现金余额为0.5万亿韩元。

公司以3.07元/股向控股股东--无锡产业发展集团非公开发行1亿股已完成，控股股东全部以现金认购。本次募资将用于：投资21,850万元对公司控股子公司江苏太极实业新材料有限公司进行增资扩股；剩余募集资金7,650万元用于补充流动资金。本次发行的股份自发行结束之日起36个月不得转让，该部分新增股份预计可上市交易的时间为2012年7月9日。此举将能进一步完善公司的治理结构，有利于公司的未来发展战略。

公司 2009年1-3月每股收益0.007元，每股净资产1.62元，净资产收益率0.44%，营业总收入1.23亿元，同比减少9.79%，实现净利润262.11万元，同比减少21.10%。

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