半导体分为哪些类型？

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

半导体是介于导体与非导体间之物质（如矽或锗）,故其导电性居于金属与绝缘体之间,并随温度而增加。半导体材料,呈中度至高度之电阻性（视制造之际所掺杂之物质而定）。纯半导体材料(

称为内质半导体）,导电性低；若于其中添加特定类型之杂质原子（成为外质半导体）,则可大为增加其导电性。施体杂质（5价）可大量增加电子数目,而产生负型半导体；受体杂质（3价）则大量增加电洞数目,而产生正型半导体。此种外质半导体之导电性,端视其中杂质之类型及总量而定。不同导电性之半导体若经集合一起,可形成各种接面；

此即为半导体装置（供作电子组件使用）之基础。半导体一词,亦常意指此类装置本身（如电晶体、积体电路等）。

补充：良好的半导体有四个价电子,所以加入五价电子的原子会增加电子数（多一个）,而加入三价电子,会多一个电洞（少一个）。

'超导现象'是指材料在低于某一温度时，电阻变为0的现象，而这一温度称为超导转变温度（T_c）。超导现象的特征是[[零电阻]]和完全[[抗磁性]]。

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