中国锂电可以成功,为什么半导体不行

中国推动数字领域创新的首要举措之一是国际数字丝绸之路（DSR），它是“一带一路”倡议的组成部分。 通过 DSR，中国将拓展国外市场，确保国外供应商的持续供给，和进入海外消费市场，并建立信息和通信技术的技术标准。 如果成功，DSR 将为中国的经济创新提供稳定的需求， 这正是政府追求的目标。 然而，DSR 及其充满希望的创新取决于中国在硬件方面的成功。 尽管中国面临着国外的竞争，但中国经济创新的最大障碍是国内。 中国成为 5G 技术的领导者，但其创新水平落后于其他领域。 中国的主要创新挑战是缺乏高价值数字硬件的本土能力，尤其是半导体逻辑芯片。

2010-2020年，中国试图整合半导体产业，鼓励国内半导体企业共享研发，让外国减少出口管制，从国外获得高技能人才。然而，到 2022 年初，中国仍然没有设计或制造大量价值最高的半导体逻辑芯片（中国市场份额不到 1%，中国在全球市场中的份额不到 6%）。但这只是问题的一部分。两个最高价值的半导体逻辑芯片是中央处理单元 (CPU) 和图形处理单元 (GPU)。正如乔治卡尔霍恩所指出的，在这两个类别中，中国生产的芯片不仅质量低劣，而且缺乏竞争力，即使在中国也是如此。

国务院发布的《“十三五”国家科技创新规划》中，第三代半导体被列为国家面向2030年重大项目之一。厦门市也把第三代半导体产业列入着力培育的具有发展潜力的十大未来产业。近年来在中央和各地政府出台政策的大力支持下，以及伴随新能源、智能制造、人工智能、5G通信等现代产业兴起所带来的庞大市场需求的推动下，一大批行业龙头企业近年来纷纷展开大规模投资，以期赢得发展先机。目前国内厂商在第三代半导体有全产业链的布局，产业已呈现快速发展势头。

夯实第三代半导体产业基础

虽然第三代半导体有着诸多优异的性能，但它也不是“万用神丹”。例如，智能手机中的处理器、电脑中的CPU等，从目前看不太有可能换为第三代半导体材料，至少在相当长的时间里第三代半导体还不可能完全取代前两代。

第三代半导体是以宽禁带为标志，决定了它的制造难度不可能比前两代低，暂且不说它能否制成各种功能的替代芯片，就是生产同样功能的器件，第三代半导体对制造工艺和设备的要求也不可能更低，成本也难以更低。

第三代半导体无论是单晶生长、外延层生长还是器件制造，目前处于领先地位仍是美国、欧洲、日本。况且许多基础的半导体工艺技术是相通的，无论哪一代半导体都需要，而在这些基础方面人家比我们强，想跳过或绕过这些薄弱点弯道超车或换道超车，是不太现实且有风险的。

产业的发展有其自然规律，我们可以通过政策、资金等推动加快发展，而不应是光想着跳过、绕过或其他取巧的方式。要改变我们在半导体芯片方面的被动局面，光靠第三代半导体是不够的，更不是一朝一夕就能实现的，需要上游的材料和设备，中游的芯片设计、制造和封测，下游的应用等全产业链较长时期的共同努力，补上我们在半导体基础技术、工艺、设备等方面的短板，夯实基础，才有可能实现在第三代半导体突破性发展。

第一是基础不足，起步较晚，90年代才开始，而且集中于制造这一块。

第二个是投入不足。半导体我们现在上的十二程序均价是50亿美元。所以，这几年我们已经募集的集成电路基金号称国家大基金，一共1387亿人民币，现在投的是66个项目，每个项目平均不到20亿。我跟他们基金公司高管们讲，你这么天女散花一样是做不成大事的。

第三个是人才不足。我们目前半导体从业人员30万，按照目前来看，我们到2025年半导体这个行业大概还需要继续增加50万人才。

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