半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么？

以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。因为半导体价带上的电子，随着温度的升高，不断地被激发到导带，使载流子的数量增加，其导电性得到不断加强，电阻率变小；

当温度上升到一定高度，价带电子的激发到了极限，同时晶格的热振动加剧，对载流子的散射作用也增强。这时，随着温度的进一步升高，半导体的电阻率则反而会增大。

以实际应用的掺杂单晶硅为例： 1-较低温度时，温度升高，电阻率下降。这时载流子的增加以杂质的激发为主； 2-温度再升高，杂质的激发完毕，本征激发不明显。这时晶格的热振动使载流子的散射加剧，电阻率随温升而上升； 3-温度再升高，本征激发为主，载流子增加。这时电阻率随温升而下降； 4-温度再升高，晶格的热振动散射使载流子迁移率的下降效果，超过载流子的增加效果。这时电阻率随温升而上升。 正常使用半导体器件，不应该使温度上升到“3-本征激发”的阶段。

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