一、 AIoT黄金时代已至,开启半导体“千亿级”大赛道
AIoT智能物联网进入发展“加速段”:智能化技术配套已成熟,未来十年快速成长。2021年受到疫情影响带动防疫+居家双重需求,助推大量AIoT场景落地。国内AIoT龙头连接设备量环比快速上升,大量AIoT应用场景快速落地;是AIoT应用成熟需求快速融合的阶段,叠加疫情催化智能类产品放量,为快速发展元年;预计未来十年应用持续普及,为黄金十年。
AIoT驱动半导体市场规模,有望达到2500亿人民币。传感器与芯片生产商在AIoT产业链中,价值量占比约为10%;按照2021年全球AIoT市场规模3740亿美元计算,预计半导体价值量达到374亿美元,约为2500亿元。半导体是促进智能家居、智能建筑、智能 健康 、智能医疗、智能工控、智能城市等各领域落地与兴起,叠加应用落地与需求提升,使其中半导体板块重点受益。
二、 汽车 半导体价值和量有望同步升级,功率半导体产能短缺成为新常态
汽车 电子所展现的颠覆性趋势不可小觑,随着AIOT和新能源 汽车 的加速渗透, 汽车 半导体的价值和量有望同步升级。按照国家规划的发展愿景,2025年新能源 汽车 销量有望突破500万辆,保有量将在2000万辆。预计2030年, 汽车 电子在整车中的成本占比会从2000年的18%增加到45%,为涉足 汽车 领域的电子及半导体企业提供了莫大的机遇。
功率半导体产能短缺成为新常态,将迎来史上空前景气周期。 汽车 是功率半导体最大需求领域,占比近1/3。预计2025年新能源 汽车 相关功率半导体价格超124亿元。产能方面,主要功率半导体厂商境内有29条功率半导体产线,9条在建及拟建产线。估算从晶圆厂开建到达产需要3年左右的时间,由此可见扩建的大部分产能对缓解目前供需紧张的情况将在2023年后才能逐步显现。
三、半导体景气度持续上行,下半年预计产能持续紧张+旺季更旺
超30家半导体企业2021Q2调涨产品价格。2020年Q3以来,半导体行业热度居高不下,公司纷纷上调产品价格。普遍因市场需求高速增长及上游原材料价格上涨等。集体涨价表明半导体需求正达到前所未有的高度。
中芯华虹扩产趋势明确,晶圆代工成为博弈焦点,未来5年有望持续扩产。大陆半导体制造板块未来趋势主线:需求端受益于“万物互联+国产替代”,技术端受益于成熟制程工艺不断进步和先进制程工艺良率不断上升。晶圆代工作为板块中资产最重的环节,向上拉动设备材料的研发进展,向下影响设计公司的产品能力,在贸易冲突下备受关注。全球数字化进程持续进行,晶圆代工产能重要性凸显,逐渐成为战略性资产。
四、国产半导体设备材料受益制造产能扩张+国产替代加速有预期上修空间
本土半导体制造有望加速融资扩产,带动设备材料预期上修。当前时间节点,短期来看半导体设备材料公司由于在手订单充裕,二/三季度业绩可期;长期来看,受益制造产能扩张及国产替代加速,半导体设备材料板块成长趋势明确。后摩尔时代,随着本土半导体制造板块融资扩产加速,设备材料板块有预期上修空间。设备和材料板块在半导体各细分赛道中涨幅居前。我们持续看好半导体设备材料板块预期上修的机会。
相关标的:
1.AIOT板块SoC主控: 瑞芯微/晶晨股份/全志 科技 /富瀚微/恒玄 科技 ; MCU微控制器: 兆易创新/中颖电子/北京君正/国民技术; 通信IC: 乐鑫 科技 /博通集成; 传感器: 赛微电子/敏芯股份/苏州固锝/惠伦晶体;
2.功率半导体板块: 闻泰 科技 /中车时代电气/斯达半导/捷捷微电/士兰微/华润微/华微电子/新洁能;
3.制造板块: 中芯国际/华虹半导体/晶合集成;
4.设备材料板块: 雅克 科技 /北方华创/中微公司/盛美半导体/精测电子/华峰测控/长川 科技 /鼎龙股份/有研新材/至纯 科技 /正帆 科技
6月22日行情预判
周一沪指小幅低开,全天震荡为主,小涨收阳;创业板指走得较强。沪市成交量较上周五稍微萎缩,量能没能放大,则指数大概率仍是震荡走势;市场涨多跌少,赚钱效应良好,当前轻指数重个股,把握结构性行情机会。若外围市场波动不大,预计周二上证指数大概率反d行情,上方压力3560,下方支撑3500。
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一、N型半导体
N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体,其化学配比往往呈现缺氧,这些氧空位能表现出施主的作用,因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度。
二、P型半导体
P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。
形成
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。
扩展资料
特点:
(一)、N型半导体
由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。
(二)、P型半导体
掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
参考资料来源:百度百科-N型半导体
参考资料来源:百度百科-P型半导体
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