处于非平衡态的p型半导体中，EFn和EFp哪个距EF近？为什么

处于非平衡态的半导体没有统一的费米能级，因此此时半导体任意一点的费米能级都是不同的，但是非平衡载流子的浓度在某一时刻是恒定的，因此可以分别用电子的费米能级和空穴的费米能级来描述电子和空穴的统计分布。而至于谁和费米能级近，这就要看非平衡载流子的浓度，比如PN结大注入时的情况，非平衡载流子的浓度高于原有平衡载流子浓度时，费米能级肯定就离非平衡载流子的导电类型对应的费米能级近。

是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

扩展资料：

一、特点

半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。

因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

二、形成原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子。

氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu₂O、NiO、VO₂等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。

参考资料来源：百度百科-P型半导体

楼上的回答没提到本质

本质就是：n型或p型半导体的空穴，或自由电子的定向移动

一般不含杂质的半导体导电性能很差，成为本征半导体

一般咱们用的三极管，二极管都是在本征半导体的基础上掺杂一些杂质，掺入5主族的杂质的叫p型半导体，又称电子型半导体。掺入3主族的元素，称为n型半导体。

因为大部分分子由四主族的元素构成，所以整体的晶胞结构不会改变，而三主族的元素缺电子，这就形成了杂志缺陷，当半导体周围有外电场的情况下，旁边的电子填入空穴，而填空的电子的位置处又形成了空穴，从表面上看上去就是空穴在移动。p型半导体大同小异

（这个属于物理，因为2005年全国化学联赛有这题，我才学的半导体）

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