一道半导体物理题，n型GaAs半导体的恒定电场强度为E=12Vcm，其方向沿x的正方向，

我就不带入数据了。

算出电阻率E/j

电导率=1/电阻率=nqμ

然后就可以求出电子浓度n

可是题目中说的是一块n型半导体，那么不管你如何加外电场，内部的载流子分布是恒定的，不会随着位置而变化，因为要符合连续性方程。只有掺杂才会引起浓度变化。所以2、3问的就有些奇怪了

1.其实你的问题是因为概念的混淆。

当电子移动时，留下的空状态可以被看成假想的粒子，这些空状态被叫做空穴。由以上空穴的定义可以看到，空穴其实是假想的与电子相对应的一种粒子。而磷原子在N型半导体中形成正离子的原因是其5个价电子只有4个与Si或Ge成键，剩余的一个则以电子的形式放出，所以该磷并不是假想的，而是实际存在的。所以我们说它形成了正离子而不是空穴。

2.对。

但是在这里我有个疑问：你为什么没有问“实质是不是就是N区的电子向P区移动，P区的空穴向N区移动”呢？

当弄清楚第一个问题后，答案很简单，空穴是假想的，是电子移动的结果。

3.空间电荷区实际上是一个载流子不断复合的动态平衡的区域。也就是载流子复合一直存在于其中，但是多子的扩散与少子的漂移动态平衡，宏观上看来，是一个稳定的区域。明白了这个，你的疑问也许就会消除了。

以上个人看法，希望指点！

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