对于杂质半导体,在温度很低时,本征电离可忽略,T升高,杂质电离的载流子越来越多,电阻下降
进入室温区,杂质已经全部电离,而本征激发还不重要,T升高,晶格震动散射加剧,电阻升高.
高温区,本征激发起主要作用,T升高,本征激发明显,电阻下降.
总的趋势是先降再升最后降
如果说是普通电阻,那才说是一般随温度升高变大
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
对于杂质半导体,在温度很低时,本征电离可忽略,T升高,杂质电离的载流子越来越多,电阻下降
进入室温区,杂质已经全部电离,而本征激发还不重要,T升高,晶格震动散射加剧,电阻升高.
高温区,本征激发起主要作用,T升高,本征激发明显,电阻下降.
总的趋势是先降再升最后降
如果说是普通电阻,那才说是一般随温度升高变大
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)