最近，金钟教授团队提出通过氢氟酸（HF）溶液对砷烯进行表界面处理的湿化学法，成功地将半金属性的灰砷烯纳米片可控地转化为半导体性的玻璃态砷烯纳米片的有效途径。并系统性地探究了玻璃化过程的机理和玻璃态砷烯的光电性质。该湿化学处理过程可以在有或没有上表面聚合物涂层的保护下进行，通过对灰砷烯纳米片的表面进行不同的聚合物涂层保护，可以有选择性地对其实现单面或双面的可控玻璃化，并且能够很方便地转移到任意的平坦衬底上（图1）。例如，首先在砷烯纳米片上表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)膜，随后浸入HF水溶液中，可以成功实现从下表面开始的玻璃化，也可以通过直接将生长于云母衬底的砷烯纳米片浸入HF溶液中实现。在这种情况下，由于云母表面易受HF渗透，玻璃化从砷烯纳米片的两侧同时开始。通过详细的结构表征，证实了玻璃态砷烯纳米片具有典型的玻璃化特性，与高结晶度的原始灰砷烯有明显的结构差别。完全玻璃化的砷烯纳米片完美地保留了初始砷烯的六角形形状，并表现出典型的非晶态特性。通过采集部分玻璃化的砷烯纳米片的不同位置的TEM图像和SAED图案，可以清楚识别砷烯纳米片的玻璃化部分和未玻璃化部分的边界，揭示了砷烯纳米片的边缘区域比中间区域的玻璃化反应更为迅速。相对于中心区域，砷烯纳米片的边缘区域更易于被湿化学处理玻璃化（图2）。研究还发现，HF水溶液中溶解氧含量的提高，能够对灰砷烯纳米片的玻璃化过程反应速度起到很大的促进作用。详细的表征和测试研究表明，与原始灰砷烯纳米片的半金属特性不同，所制备的玻璃态砷烯纳米片在635 nm处有一个很强的光致发光峰，对应的光学带隙为1.95 eV。基于玻璃态砷烯纳米片的场效应晶体管表现出明显的p型半导体特性，载流子迁移率为~159.1 cm2 V-1 s-1（图3）。通过与马晶教授合作进行理论模拟计算和机理分析表明，灰砷烯纳米片的玻璃化过程是由于HF和溶解氧共同参与了对砷烯纳米片的刻蚀作用，消耗了砷烯界面和内部的一部分砷原子，从而形成了砷原子缺陷/空位和无序的原子结构，有效改变了砷烯的电子能级结构（图4）。这种新型的湿化学处理方法提供了一种能够诱导半金属性的灰砷烯向半导体性的玻璃态砷烯进行可控转变的有效策略，有目标、有针对性地调控了砷烯纳米片的电学和光学性质，从而为二维纳米材料的界面和能带结构调制提供了崭新的思路。
该研究成果以“Wet Chemistry Vitrification and Metal-to-Semiconductor Transition of Two-Dimensional Gray Arsenene Nanoflakes”为题发表在Advanced Functional Materials期刊上（DOI: 10.1002/adfm.202106529）。南京大学金钟教授和马晶教授为该论文的通讯作者。副研究员胡毅博士为该论文的第一作者。该研究工作得到了国家重点研发计划项目、军委 科技 委国防 科技 创新特区项目、国家自然科学基金项目、江苏省杰出青年基金、中央高校基本科研业务费专项资金等项目的资助。
图1. 湿化学法处理诱导灰砷烯纳米片玻璃化的原理示意图和显微照片。
图2. 部分玻璃化和完全玻璃化的砷烯纳米片的晶体结构表征。
图3. 晶态灰砷烯和玻璃态砷烯的电学输运性质对比。
图4. 砷烯纳米片玻璃化过程的机理研究。
半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
一、半导体材料主要种类
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
（半导体材料）
2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。
（半导体材料元素结构图）
半导体材料
三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。
3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。
4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
二、半导体材料实际运用
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。
半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。
（半导体材料）
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。
在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。
三、半导体材料发展现状
相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，
半导体材料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。
（半导体材料）
美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。
日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。
芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。
半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。
与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。
四、半导体材料战略地位
20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式
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半导体芯片材料是半导体产业链中细分最广，半导体芯片材料主要分为圆晶制造材料和封装材料，具体而言， 晶圆制造材料包括光刻胶，光刻胶试剂，硅片，SOI，掩模，电子气体，工艺化学品，靶材，CMP材料（抛光液和抛光垫）和其他材料，封装材料包括引线框，包装基板，陶瓷基板，键合线，封装材料，芯片键合材料和其他封装材料 ，每种材料都包含数十种甚至数百种特定产品。
安集 科技 的主要业务是关键半导体芯片材料的研发生产，目前的产品包括不同系列的 半导体芯片化学机械抛光液和光刻胶去除剂 ，主要用于半导体芯片制造和高级半导体芯片封装领域， 公司成功地打破了国外制造商在半导体芯片领域对化学机械抛光液的垄断，实现了国产替代 ，并使中国企业在该领域具有独立的供应能力，公司的10-7nm技术节点产品正在开发中。
化学机械抛光（CMP） 是在半导体芯片制造过程中使晶片表面平坦化的关键过程，与传统的纯机械或纯化学抛光方法不同，CMP工艺将表面化学和机械抛光相结合，以微米/纳米级去除晶片表面上的不同材料，从而达到晶片表面的高度，用以保证平坦化效果使下一个光刻工艺得以进行。 CMP的主要工作原理是，在纳米研磨剂的机械研磨作用和纳米研磨剂的机械研磨作用之间的高度有机结合的情况下，抛光的晶片在一定压力下并在存在抛光液的情况下相对于抛光垫移动，在各种化学试剂的化学作用下，使抛光后的晶片表面满足高平整度，低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺和技术节点的要求，每个晶片在生产过程中将经历数个甚至数十个CMP抛光工艺步骤。
光刻胶去除剂 是一种高端的湿化学药品，用于在光刻工艺中去除光刻胶残留物，在晶圆光刻工艺结束时，必须使用光刻胶去除剂才能完全去除残留的光刻胶，然后再进入下一个工艺。对于这种工艺，目前只有少数国内供应商具有供应能力，公司的光刻胶去除剂可根据不同的应用领域分为三个主要系列，包括：集成电路制造系列，晶圆级封装系列和LED / OLED系列。
安集 科技 目前的客户主要是中国领先的集成电路制造商，先进的封装制造商和LED / OLED制造商，包括中芯国际，长江存储/武汉新芯，华虹集团，华润微电子，士兰微，长电 科技 、华天 科技 、通富微电、晶方 科技 、三安光电、和辉光电和中国台湾的台积电、联电、升阳 半导体、日月光、硅片等； 按份额比例占比前五的客户分别为中芯国际（约60%）、台积电（约8%）、长江存储（约7%）、华润微电子（约4%）和华虹半导体（约4%）。
长期以来，全球化学机械抛光液市场主要由美国和日本公司垄断，包括CabotMicroelectronics，美国Versum和日本Fujimi。作为一家国内公司， 安集 科技 成功打破了国外垄断，并抢占了一定的市场份额，目前半导体芯片抛光液产品约占全球市场份额的2.5％，尽管与全球巨头的差距仍然很大，但已逐渐开始实现国内替代并建立国际声誉 ；公司布局的另一个产品领域光刻胶去除剂，目前国内同样也主要依赖于进口，除美国的Versum和Entegris外， 光刻胶去除剂的细分主要公司还包括安集科 科技 和上海新阳。
前三季度公司实现营业收入3.09亿元，同比增长50.39％；净利润1.14亿元，同比增长145.49％；第三季度收入为1.17亿，同比增长53.50％。
A股上市公司半导体芯片材料龙头股安集 科技 目前处于震荡走势，据大数据统计主力筹码约为23.5%，主力控盘比率约为27.9%，主力筹码及控盘比率略显不足； 个股趋势股性可以参考5日均线与60日均线组合，当5日均线与60日均线处于多头排列且方向均为向上时，以5日均线作为多空参考。
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