用万能表如何检测电力半导体模块的好坏？

用万能表可以测出电力半导体模块的： 电流，电压，电容，电阻，电波长度，幅度和所有电性功能功率。

但半导体模块的好坏是有专用终测程序来读取参数判断，一般万能表只能知道开短路，无法判断好坏。

如今，新兴产业的发展进一步证明了半导体测试的重要性。随着通信速度的加快，基带和射频前端都受到了挑战。由于需要支持多种模式，射频前端还将集成功率放大器、低噪声放大器(LNA)、双工器和天线开关等模块，并将它们封装在一个组件中。在设计和生产过程中，检测变得非常重要。只有准确地测量器件的参数，才能优化设计方案，提高产品生产的成功率。

对于半导体检测，虽然需要用于大规模生产、实验室、晶片等环节，但相关环节也比较复杂，但电气性能测试是基本环节，半导体器件或模块在研究开发、设计和生产过程中是必不可少的环节。

在电气性能测试环节中，电流测试方案是源测量单元(SMU)。SMU是一种具有电压输出和测量以及电流输出和测量功能的精密电源仪表。这种电压和电流的控制给你提供了通过欧姆定律计算电阻和功率的灵活性，它可以同时控制和测量电压和电流，主要为消费类电子产品、IC设计和验证以及其他实验室提供电气性能测试。

目前市场上有许多(SMU)厂家可以提供源测量单元，相关产品很多，但测试仪器越贵，测试精度越高，从某种意义上说，要掌握源测量单元(SMU)，就必须了解产生误差的原因和减小误差的方法。

检测IGBT好坏简便方法：

1、判断极性。首先将万用表拨在R&TImes1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。

2、判断好坏。将万用表拨在R&TImes10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）。

这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。

3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R&TImes10KΩ挡，因R&TImes1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

如果IGBT为好的，IGBT模块测量数据为零。

扩展资料

检测IGBT好坏时在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；而且要注意安全。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

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