半导体测试中VCESAT是一个什么参数!

半导体测试中VCESAT是一个什么参数!,第1张

这个参数是双极型晶体管(也就是三极管)中的临界饱和电压,它反映放大状态和饱和状态的临界点在UCE上的反映。

这个参数在小功率三极管上,大概是0.6-0.7V,大功率三极管可以达到2-3V,这个参数会影响三极管作为功率放大输出时的效率,同等条件下,数字越大,效率越低。

VB即反向崩溃电压,主要测试该产品在多大电压会崩溃,主要是考虑产品可以 *** 作在多大电压或多大电流

VF即顺向电压,给一个顺向电流测起两端电压,简单的可以说是为了测试产品焊线是否正常

IR即反向电流或漏电流,给一个反向电压测其电流,漏电流应该很小才合理,一般是nA等级

TRR这个我没有用到过,不好意思

望采纳

1 管脚定义,不要将管脚接错。

2 确保外围应用电路连接正确,元器件焊接正确,无虚断虚焊现象。

3.测试中工作电压、电流不能超过工艺及电路设计值。

还有一些零碎的细节需要自己注意,根据不同的芯片来确定


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