原子层沉积的应用

原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构）

原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。

目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。 中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。

上述领域并不代表原子层沉积技术的所有可能应用领域，随着科技的发展在不远的将来将会发现其越来越多的应用。根据该技术的反应原理特征，各类不同的材料都可以沉积出来。已经沉积的材料包括金属、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各类半导体材料和超导材料等。 现在原子层沉积系统有国际品牌和自主品牌两类。在国外品牌以剑桥（cambridge)最为悠久，全球销售量几百台。其次以芬兰的BENEQ和picosun，在高端ALD领域投入大量研发工作。近几年，在国内已经有几家设备公司先后完成研发，在市场上推出自己的机型。

cvd：Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。pvd:（Vapor )，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。ALD:原子层沉积。拓展由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。

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