半导体光刻技术，什么是半导体光刻技术

光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。

目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv光刻机和euv光刻机区别是是什么呢？

duv光刻机和euv光刻机区别

1.基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。

2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空 *** 作。

以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了，现在基本都是euv光刻机。

5nm工艺将euv光罩提升到14—15层。

5纳米将使用第五代FinFET电晶体技术，EUV极紫外光刻技术也提升到10多个光刻层，整体电晶体密度提升84%。

换句话说，以7纳米是每平方公厘9，627万个电晶体计算，则5纳米就将是每平方公里有1.771亿个电晶体。

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