半导体互连延迟是什么

阻容效应。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体互连延迟主要体现就是RC延迟，即阻容效应。当半导体器件特征尺寸减小时，那么金属之间的间距将会随之缩小。

电子式时间继电器延时范围通常是：0.1S~9.9S和1S~60S，还有延时到几小时的。

电子式时间继电器又称半导体时间继电器.利用半导体元件做成的时间继电器.具有适用范围广、延时精度高、调节方便、寿命长等一系列的优点，被广泛的应用于自动控制系统中·半导体延时电路大致可分为阻容式（电阻与电容构成）和数字式两大类·如果延时电路的输出是有触点的继电器则称为触点输出，若输出是无触点元件则称为无触点输出。

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一、静态特性（1）正常工作时的特性1.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。2.当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。3.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。4.若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。（2）晶闸管的伏安特性正向特性1.当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。2.如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。3.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。4.如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。晶闸管的伏安特性I G2>I G1>I G反向特性1.其伏安特性类似二极管的反向特性。2.晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。3.当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增大，导致晶闸管发热损坏。晶闸管的伏安特性I G2>I G1>I G二、动态特性（1）开通过程1.由于晶闸管内部的正反馈过程需要时间，再加上外电路电感的限制，晶闸管受到触发后，其阳极电流的增长不可能是瞬时的。2.延迟时间td(0.5~1.5μs) 上升时间tr(0.5~3μs) 开通时间tgt=td+tr3.延迟时间随门极电流的增大而减小,上升时间除反映晶闸管本身特性外，还受到外电路电感的严重影响。提高阳极电压,延迟时间和上升时间都可显著缩短。晶闸管的开通和关断过程波形（2）关断过程1.由于外电路电感的存在，原处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。2.反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq=trr+tgr3.关断时间约几百微秒。4.在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。

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