mof怎么测迁移率

mof怎么测迁移率,第1张

通过高频太赫兹测量和霍尔效应测量。

利用THT水溶液和醋酸亚铁的 *** 溶液之间形成的油/水界面,在NH4OH辅助下形成厚度可控的2DMOF膜材料的方法,最终制备得到了π-d共轭结构的多孔Fe3(THT)2(NH4)3(THT,六巯基三亚苯)2DMOF。

通过高频太赫兹测量霍尔效应测量,证实了在该半导体材料中存在Drude型带状电荷传输机制,且具有高达~220cm2V-1s-1的室温迁移率,并进一步分析了影响MOF材料中电荷迁移过程的相关因素。

系统利用飞行时间法(time-of-flight,TOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性, 广泛适用于各类半导体材料, 如有机半导体、金属- 有机框架(metal-organic framework, MOF)、共价有机框架(covalent organic framework,COF)、钙钛矿材料等。FlyTOF系统是一款高度集成化的光电测试系统,配备便捷的上位机控制和数据测量软件,可助力客户进行快速、准确的测量。

特点:

专业的信号调教,电磁兼容噪声小;

软件自动控制,测试快速便捷;

快速换样装置,惰性气体氛围测试;

可实现宽温度范围的变温测试(选配);

可灵活耦合各种类型的激发光源。


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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/9086509.html

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