谁能介绍半导体二极管参数符号 CT- Cj的意思？

半导体二极管参数符号

CT-势垒电容

Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv-偏压结电容

Co-零偏压电容

Cjo-零偏压结电容

Cjo/Cjn-结电容变化

Cs-管壳电容或封装电容

Ct-总电容

CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC-电容温度系数

Cvn-标称电容

IF-正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）-正向平均电流

IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH-恒定电流、维持电流。

Ii-发光二极管起辉电流

IFRM-正向重复峰值电流

IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)-正向过载电流

IL-光电流或稳流二极管极限电流

ID-暗电流

IB2-单结晶体管中的基极调制电流

IEM-发射极峰值电流

IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM-最大输出平均电流

IFMP-正向脉冲电流

IP-峰点电流

IV-谷点电流

IGT-晶闸管控制极触发电流

IGD-晶闸管控制极不触发电流

IGFM-控制极正向峰值电流

IR（AV）-反向平均电流

IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电 流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM-反向峰值电流

IRR-晶闸管反向重复平均电流

IDR-晶闸管断态平均重复电流

IRRM-反向重复峰值电流

IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp-反向恢复电流

Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk-稳压管膝点电流

IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM-稳压二极管浪涌电流

IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF-正向总瞬时电流

iR-反向总瞬时电流

ir-反向恢复电流

Iop-工作电流

Is-稳流二极管稳定电流

f-频率

n-电容变化指数；电容比

Q-优值（品质因素）

δvz-稳压管电压漂移

di/dt-通态电流临界上升率

dv/dt-通态电压临界上升率

PB-承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）-正向导通平均耗散功率

PFTM-正向峰值耗散功率

PFT-正向导通总瞬时耗散功率

Pd-耗散功率

PG-门极平均功率

PGM-门极峰值功率

PC-控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi-输入功率

PK-最大开关功率

PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP-最大漏过脉冲功率

PMS-最大承受脉冲功率

Po-输出功率

PR-反向浪涌功率

Ptot-总耗散功率

Pomax-最大输出功率

Psc-连续输出功率

PSM-不重复浪涌功率

PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RBB-双基极晶体管的基极间电阻

RE-射频电阻

RL-负载电阻

Rs(rs)-串联电阻

Rth-热阻

R(th)ja-结到环境的热阻

Rz(ru)-动态电阻

R(th)jc-结到壳的热阻

rδ-衰减电阻

r(th)-瞬态电阻

Ta-环境温度

Tc-壳温

td-延迟时间

tf-下降时间

tfr-正向恢复时间

tg-电路换向关断时间

tgt-门极控制极开通时间

Tj-结温

Tjm-最高结温

ton-开通时间

toff-关断时间

tr-上升时间

trr-反向恢复时间

ts-存储时间

tstg-温度补偿二极管的贮成温度

a-温度系数

λp-发光峰值波长

△λ-光谱半宽度

η-单结晶体管分压比或效率

VB-反向峰值击穿电压

Vc-整流输入电压

VB2B1-基极间电压

VBE10-发射极与第一基极反向电压

VEB-饱和压降

VFM-最大正向压降（正向峰值电压）

VF-正向压降（正向直流电压）

△VF-正向压降差

VDRM-断态重复峰值电压

VGT-门极触发电压

VGD-门极不触发电压

VGFM-门极正向峰值电压

VGRM-门极反向峰值电压

VF（AV）-正向平均电压

Vo-交流输入电压

VOM-最大输出平均电压

Vop-工作电压

Vn-中心电压

Vp-峰点电压

VR-反向工作电压（反向直流电压）

VRM-反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）-击穿电压

Vth-阀电压（门限电压）

VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM-反向工作峰值电压

V v-谷点电压

Vz-稳定电压

△Vz-稳压范围电压增量

Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av-电压温度系数

Vk-膝点电压（稳流二极管）

VL-极限电压

简单的解释一下原理：

肖特基二极管（音译Schottky)实质上是一种金属-半导体器件，金属早期多用贵金属（金银等）制作，现在有铝基的，半导体为N型以提供所需电子。静置时由于扩散漂移形成势垒，两极正偏连接（金属接阳，半导体接阴）势垒宽度变窄，易于形成电流，过一定正偏值可理解为导通，反偏时势垒宽度变大，可理解为截止。

几个特性，作为应用者了解就够了：

肖特基中为单子形成电流，那就是电子，金属中无空穴扩散参与；

肖特基二极管的正向导通电压比一般二极管小很多，一般为0.1~0.4V，而普通的为0.5~0.7V；

反向恢复时间短，电流通透能力大，可达安培以上量级甚至千安量级。

至于结构，需要查阅半导体器件制造的相关书籍。

最近经常有客户问我们，国产MOS管什么品牌好？国产十大MOS管品牌有哪些？哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？下面小编就来分析下国产MOS管品牌，探讨下国内外功率MOSFET器件的品牌对比及市场前景。首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。当然还有其他就不一一列举，其实比较起来很难说国产十大MOS管品牌哪个好，这个问题是见仁见智的，我们南山电子授权代理经销长晶科技和新洁能，小编就先说说这两个牌子，长电长晶科技不用多说了，从事电子元器件行业的应该都知道，细分领域多，主做二三极管，MOS管这块儿当然也做，例如CJ3400，CJ2301，CJ3134等都是稳定性较好，认知度较高，市场比较热销的MOS管型号，而新洁能MOS管相较于国内其他功率器件企业，新洁能资金实力并不突出，那么，它是如何在背景强大、资金充裕的国产MOS管竞争对手中脱颖而出？其技术“硬实力”如何？我们来看图说话：

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国产MOS管

多年来，新洁能始终专注MOSFET、IGBT领域，取得了不少突破：是同时拥有“沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅功率MOSFET ”及IGBT 四大产品平台的本土企业。在中高端功率器件领域，新洁能交出了不错的成绩单：2018年，新洁能位列中国功率半导体行业第六，这是新洁能连续第三个年头跻身全国前十功率半导体企业榜单。随着新洁能逐渐打开市场、提升品牌知名度，其产品亦从单一的MOSFET、IGBT芯片转为更具集成性的功率器件。

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研发技术

最后我们就来谈谈一个客户问的问题：哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。说实话英飞凌MOS管这些都是庞然大物，以高功率MOSFET为例，英飞凌、安森美、意法半导体均已推出先进的屏蔽栅功率和超结功率MOSFET，而国内有能力量产的厂商寥寥无几，且可靠性与适用性离一流厂商仍有差距。

这些都是实际存在的问题，我们想要进步就不能一叶遮目，避而不谈，但是我们相信专注于一个领域不停进步，新洁能已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。新洁能踌躇满志，计划在未来三年内，进一步树立起中国半导体品牌形象。为此，公司拟筹资数亿，用于以下三方面建设：研发更高性能功率器件、建设半导体封装测试生产线与研发高性能原材料碳化硅。手捧功率半导体领域耀眼的两颗“明珠”——MOSFET、IGBT，新洁能期待成为中高端市场稀缺标杆，与英飞凌、安森美同台竞技。展望未来，新洁能还将致力于攻破更高精尖技术，打造出更好的产品，树立中国半导体品牌形象。南山电子期待与新洁能共同进步，一路同行。

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