XRD图谱峰的面积表示晶体含量,面积越大,晶相含量越高。峰窄说明晶粒大,可以用谢乐公式算晶粒尺寸。XRD图谱峰高如果是相对背地强度高,表示晶相含量高,跟面积表示晶相含量一致。
XRD图谱峰高如果是A峰相对B峰高很多,两峰的高度比“A/C”相对标准粉末衍射图对应峰的高度比要大很多,那么这个材料是A方向择优取向的热重曲线热重分析得到的是程序控制温度下物质质量与温度关系的曲线。
即热重曲线(TG)曲线,横坐标为温度或时间,纵坐标为质量,也可用失重百分数等其它形式表示。由于试样质量变化的实际过程不是在某一温度下同时发生并瞬间完成的,因此热重曲线的形状不呈直角台阶状,而是形成带有过渡和倾斜区段的曲线。
扩展资料:
通过对材料进行XRD,分析其衍射图谱,获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态等信息。用于确定晶体结构。其中晶体结构导致入射X射线束衍射到许多特定方向。
通过测量这些衍射光束的角度和强度,晶体学家可以产生晶体内电子密度的三维图像。 根据该电子密度,可以确定晶体中原子的平均位置,以及它们的化学键和各种其他信息。
X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射,主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅,这些很大数目的粒子(原子、离子或分子)所产生的相干散射将会发生光的干涉作用。
参考资料来源:
百度百科-xrd
SEM:材料的表面形貌,形貌特征。配合EDX可以获得材料的元素组成信息TEM:材料的表面形貌,结晶性。配合EDX可以获得材料的元素组成FTIR:主要用于测试高分子有机材料,确定不同高分子键的存在,确定材料的结构。如单键,双键等等Raman:通过测定转动能及和振动能及,用来测定材料的结构。CV:CV曲线可以测试得到很多信息,比如所需电沉积电压,电流,以及半导体行业可以得到直流偏压EIS:EIS就是电化学交流阻抗谱测试可以得到电极电位,阻抗信息,从而模拟出系统内在串联电阻,并联电阻和电容相关信息BET:主要是测试材料比表面积的,可以得到材料的比表面积信息。XRD:主要是测试材料的物性,晶型的。高级的XRD还可以测试材料不同晶型的组分。质谱:主要用于鉴定材料的化学成分,包括液相质谱,气象质谱欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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