半导体二极管电路图计算

半导体二极管电路图计算,第1张

利用二极管I-U直线方程U=1.5-I(电流 I 单位:mA),与该二极管伏安特性曲线相交即可得到二极管两端的电压降和通过其的电流。(电脑 *** 作起来不方便,具体的你自己做哇,估计电压0.67v<1v,电流1mA)

然而如果电源电压为3v时,根据曲线二极管两端电压降最多1v,那么固定电阻两端电压2v,电流I=2mA。当然通过二极管电流也为2mA。(如果按照0.75v/1.5mA=欧姆,根据电阻分压,二极管两端电压已经为1v,故在3v电源下实际二极管电压降已经饱和(专业术语忘了),所以应按1v算。)

如有疑问,可追问,希望满意!

这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。

简单三极管开关:电路如图,电阻RC是LED限流用电阻,以防止电压过高烧坏LED(发光二极管),将输入信号 VIN 从0 调到最大 (等分为约20 个间隔),观察并记录对的 VOUT 以及LED 的亮度。当三极管开关为断路时,VOUT =VCC =12 V,LED 不亮。当三极管开关通路时,VOUT  = 0.2V ,LED 会亮。改良三极管开关:因为三极管由截止区过度到饱和区需经过线性区,开关的效果不会有明确的界线。为使三极管开关的效果明确,可串接两三极管,电路如图六。同样将输入信号 VIN 从0 调到最大 (等分为约20 个间隔),观察并记录对应的VOUT 以及LED 的亮度。

补充:

三极管:

半导体三极管(Bipolar Junction Transistor),也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,也是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。

晶体三极管:

双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。                          

负极指电源中电位(电势)较低的一端。在原电池中,是指起氧化作用的电极,电池反应中写在左边。在电解池中,指起还原作用的电极,区别于原电池。从物理角度来看,是电路中电子流出的一极。

接地(earthing)接地指电力系统和电气装置的中性点、电气设备的外露导电部分和装置外导电部分经由导体与大地相连。可以分为工作接地、防雷接地和保护接地。

在半导体电路中,如果是PNP半导体,一般采用正极接地,也就是以电源的正极作为整个电路的参考点;如果是NPN半导体,一般采用负极接地,也就是以电源的负极作为整个电路的参考点。现在的半导体电路多数采用硅材料,所以都是NPN半导体,负极接地。

扩展资料:

一、接地电阻

一般指接地体上的工频交流或直流电压与通过接地体而流入地下的电流之比。散泄雷电冲击电流时的接地电阻指电压峰值与电流峰值之比,称为冲击接地电阻。接地电阻主要是电流在地下流散途径中土壤的电阻。接地体与土壤接触的电阻以及接地体本身的电阻小得可以忽略。

电网中发生接地短路时,短路电流通过接地体向大地近似作半球形流散(接地体附近并非半球形,流散电流分布依接地体形状而异)。图中画出了与电流垂直的等位线,越接近接地体的等位线其电位越高。因为球面积与半径平方成正比,所以流散电流所通过的截面随着远离接地体而迅速增大。

因电阻与电流通道的截面积成反比,故同半球形面积对应的土壤电阻随着远离接地体而迅速减小。一般情况下,接地装置散泄电流时,离单个接地体20米处的电位实际上已接近零电位。


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