三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。仅供参考,请参考有关书籍。
三极管的作用
半导体三极管亦称双极型晶体管,其种类非常多。按照结构工艺分类,有PNP和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管;按照工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中,高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图2.5.1。
图2.5.1 半导体三极管外形图
共射电流放大系数β。β值一般在20~200,它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
反向击穿电压值U(BR)CEO。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值,一般为几十伏,高压大功率管可达千伏以上。
最大集电极电流ICM。指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流(一般指β值下降到2/3正常值时的IC值)。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏,但管子的性能将变差。
最大管耗PCM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的IC与UCE的乘积要小于PCM值,反之则可能烧坏管子。
穿透电流ICEO。指在三极管基极电流IB=0时,流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1�8�6A,锗管的值要比它大1000倍,大功率硅管的ICEO约为mA数量级。
特征频率fT。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 fT的典型值约在100~1000MHz之间,实际工作频率
1、按材质分: 硅管、锗管
2、按结构分: NPN 、 PNP。
3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
4、按功率分:小功率管、中功率管、大功率管
5、按工作频率分:低频管、高频管、超频管
6、按结构工艺分:合金管、平面管
7、按安装方式:插件三极管、贴片三极管
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管。
扩展资料
关于三极管外形特征主要说明以下几点。
1、一般三极管只有3根引脚,它们不能相互代替。这3根引脚可以按等腰三角形分布,也可以按一字形排列,各引脚的分布规律在不同封装类型的三极管中不同。
2、三极管的体积有大有小,一般功率放大管的体积较大,且功率越大其体积越大。体积大的三极管约有手指般大小,体积小的三极管只有半个黄豆大小。
3、一些金属封装的功率三极管只有两根引脚,它的外壳是集电极,即第三根引脚。有的金属封装高频放大管是4根引脚,第四根引脚接外壳,这一引脚不参与三极管内部工作,接电路中地线。如果是对管,即外壳内有两只独立的三极管,则有6根引脚。
参考资料来源:百度百科-三极管
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