现在的半导体用硅片一般厚度是多少?

现在的半导体用硅片一般厚度是多少?,第1张

对集成电路来说:一般来说4寸晶圆的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为

0.670mm左右。晶圆必须要减薄,否则对划片刀的损耗很大,而且要划两刀。我们做DIP封装,4寸晶圆要减薄到0.300mm;6寸晶圆要减薄到0.320mm左右,误差0.020mm。

要看是好多英寸的,还要晓得纯硅的密度(可查)。

硅片直径d米(1英寸=0.0254米),硅的密度为ρ千克/米³,硅片重m千克,硅片均匀且不考虑定位边的话,那么硅片的厚度h大致为

h=4m/ρπd²

如果要考虑定位边,定位边截去的面积为Sd米²,则

h=4m/(ρπd²-4ρSd)

h单位是米,网上查得ρ=2.42克/厘米³=2420千克/米³,注意单位转化。

硅片就是是制作集成电路的重要材料,可以通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一,对太阳能电池这样注定要进入大规模市场(mass market)的产品而言,储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。

为了制造半导体元件和集成电路(IC)。必须先制造出纯净的硅片,然后用各种工艺(光刻蚀、掺杂等等)在硅片上做出导电的半导体电路。

在同样大小的硅片上,就能做出来数量更多的电路,即能实现更高的集成度。同时,由于电路之间距离小了,导线的长度短了,所需的工作电压更低,能降低功耗,提高运行速度。

扩展资料:

对于以硅片为基底的光伏电池来说,晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果,截口损失主要和切割线直径有关,是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

让硅片变得更薄同样可以减少硅原料消耗。在过去的十多年中,硅片厚度将变成 100μm. 减少硅片厚度带来的效益是惊人的,从330μm 到 130μm,光伏电池制造商最多可以降低总体硅原料消耗量多达60%。

参考资料来源:百度百科-硅片


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