砷化镓是重要的化合物半导体材料。
外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。加热到873K时,外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下,砷化镓不与盐酸、硫酸、氢氟酸等反应,但能与浓硝酸反应,也能与热的盐酸和硫酸作用。
砷化镓天然存量稀少,通常采用镓和砷直接化合的方法,其中水平区域熔炼法是普遍采用的方法。通过区域提纯便可获得单晶。
砷化镓的优点
电子物理特性砷化镓GaAs拥有一些比硅Si还要好的电子特性,如高的饱和电子速率及高的电子迁移率,使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。
GaAs的的另一个优点它是直接能隙的材料,所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料,只能发射非常微弱的光。砷化镓比硅更不会受到自然辐射的干扰,不易产生错误信号。
砷化铝的高。砷化铝(AlAs)是铝元素和砷元素形成的二元化合物,常温常压下为橙色固体。性状:砷化铝的晶系为等轴晶系。熔点是1740°C。密度是3.76g/cm3。砷化镓的熔点是1238°C。砷化镓是重要的化合物半导体材料,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。
砷化铝(Aluminiumarsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化镓加热到873K时,外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下,砷化镓不与盐酸、硫酸、氢氟酸等反应,但能与浓硝酸反应,也能与热的盐酸和硫酸作用。
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