《2009年博士研究生招生简章》
《2009年硕士研究生招生简章》
《2008年专业学位研究生招生简章》
说明：招生简章可在电子科技大学研招网查询或到电子科技大学研招办购买（邮购地址：四川省成都市建设北路二段四号电子科技大学沙河校区研招办（610054），附言请说明招生简章名称、数量），工本费每本3元，邮购每本5元（含邮资）。
硕士研究生入学考试自主命题初试试题汇编
试题名称
学科专业
考试科目
（6，2）
2008年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编1
020202 区域经济学
020204 金融学
020209 数量经济学
030103 宪法学与行政法学
030206 国际政治
030501 马克思主义基本原理
030505 思想政治教育
050201 英语语言文学
050211 外国语言学与应用语言学
050302 传播学
070102 计算数学
070104 应用数学
070105 运筹学与控制论
120100 管理科学与工程
120120 新兴技术管理
120121 信息管理与电子商务
120122 金融工程
120202 企业管理
120204 技术经济及管理
120401 行政管理
821 经济学基础
808 金融学基础
605 宪法学
804 行政法与行政诉讼法
607 国际政治学与国际组织
802 战后国际关系史
801 辨证唯物主义与历史唯物主义
807 思想政治教育方法论
606 思想政治教育原理
603 新闻传播史论
805 新闻传播实务
809 管理学原理
806 心理学综合
602 行政管理综合
601 英语写作与翻译
611 数学分析
835 线性代数
（6，3）
2008年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编2
070204 等离子体物理
070205 凝聚态物理
070207 光学
070208 无线电物理
080900 电子科学与技术
080901 物理电子学
071010 生物化学与分子生物学
071011 生物物理学
083100 生物医学工程
081021 信息安全
081201 计算机系统结构
081202 计算机软件与理论
081203 计算机应用技术
081280 软件工程
612 高等数学
811 大学物理
813 电磁场与电磁波
819 基础光学
613 分子生物学
838 遗传学
827 生物化学
815 电路分析基础
836 信号与系统和数字电路
820 计算机专业基础
831 通信与信息系统
825 密码学基础与网络安全
826 生理学
830 数字图像处理
（6，4）
2008年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编3
080201 机械制造及其自动化
080202 机械电子工程
080203 机械设计及理论
080401 精密仪器及机械
080804 电力电子与电力传动
080902 电路与系统
080903 微电子学与固体电子学
080904 电磁场与微波技术
081002 信号与信息处理
081020 信息获取与探测技术
080300 光学工程
822 控制工程
824 理论力学
840 物理光学
841 模拟电路
811 大学物理
813 电磁场与电磁波
815 电路分析基础
831 通信与信息系统
817 电子测试技术基础
836 信号与系统和数字电路
829 数字电路和模拟电路
820 计算机专业基础
823 控制理论与控制基础
814 电力电子技术
832 微电子器件
825 密码学基础与网络安全
（6，5）
2008年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编4
080402 测试计量技术及仪器
080903 微电子学与固体电子学
080920 电子信息材料与元器件
081001 通信与信息系统
081101 控制理论与控制工程
081102 检测技术与自动化装置
081104 模式识别与智能系统
081603 地图制图学与地理信息工程
081704 应用化学
110505 密码学
080500 材料科学与工程
817 电子测试技术基础
818 固体物理
834 物理化学
813 电磁场与电磁波
810 磁性材料与元器件
824 理论力学
825 密码学基础与网络安全
816 电子材料与元器件
820 计算机专业基础
831 通信与信息系统
436 信号与系统和数字电路
828 数字电路
823 控制理论与工程基础
812 地理信息系统基础
837 遥感
833 无机化学
839 自动控制原理
（1，1）
2007年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编一
020202 区域经济学
020204 金融学
020209 数量经济学
030103 宪法学与行政法学
030206 国际政治
030501 马克思主义基本原理
030505 思想政治教育
050201 英语语言文学
050211 外国语言学与应用语言学
050302 传播学
070102 计算数学
070104 应用数学
070105 运筹学与控制论
120100 管理科学与工程
120120 新 兴技术管理
120121 信息管理与电子商务
120122 金融工程
120202 企业管理
120204 技术经济及管理
120401 行政管理
414 经济学基础
437 金融学基础
616 宪法学
433 行政法与行政诉讼法
611 国际政治学与国际组织
435 战后国际关系史
618 辨证唯物主义与历史唯物主义
407 思想政治教育原理
615 传播学概论
411 管理学原理
620 心理学原理
441 行政管理综合
434 英语写作与翻译
613 数学分析
427 线性代数
（1，2）
2007年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编二
070205 凝聚态物理
070207 光学
070208 无线电物理
080900 电子科学与技术
080901 物理电子学
071010 生物化学与分子生物学
071011 生物物理学
083100 生物医学工程
081021 信息安全
081201 计算机系统结构
081202 计算机软件与理论
081203 计算机应用技术
081280 软件工程
614 高等数学
403 大学物理
404 电磁场与电磁波
412 基础光学
617 分子生物学
406 遗传学
438 生物化学
408 电路分析基础
430 信号与系统
413 计算机专业基础
423 通信与信息系统
431 信号与系统和模拟电路
432 信号与系统和数字电路
417 生理学
420 数字图像处理
（1，3）
2007年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编三
080201 机械制造及其自动化
080202 机械电子工程
080203 机械设计及理论
080401 精密仪器及机械
080804 电力电子与电力传动
080902 电路与系统
080904 电磁场与微波技术
081002 信号与信息处理
081020 信息获取与探测技术
080300 光学工程
415 控制工程
416 理论力学
410 固体物理
422 模拟电路
403 大学物理
404 电磁场与电磁波
408 电路分析基础
412 基础光学
423 通信与信息系统
409 电子测试技术基础
431 信号与系统和模拟电路
432 信号与系统和数字电路
405 电动力学
413 计算机专业基础
439 电力电子技术
（1，4）
2007年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编四
080402 测试计量技术及仪器
080903 微电子学与固体电子学
080920 电子信息材料与元器件
081001 通信与信息系统
081101 控制理论与控制工程
081102 检测技术与自动化装置
081104 模式识别与智能系统
081603 地图制图学与地理信息工程
081704 应用化学
110505 密码学
415 控制工程
409 电子测试技术基础
410 固体物理
426 物理化学
401 半导体物理
419 数字电路与模拟电路
402 介电材料与磁性材料
413 计算机专业基础
423 通信与信息系统
431 信号与系统和模拟电路
432 信号与系统和数字电路
418 数字电路
436 自动控制原理
424 地理信息系统基础
421 遥感
425 无机化学
（1，5）
2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编一
070204 等离子体物理
070205 凝聚态物理
070207 光学
070208 无线电物理
080300 光学工程
080502 材料学
080900 电子科学与技术
080901 物理电子学
614 高等数学
403 大学物理
408 电路分析基础
430 信号与系统
422 天线
404 电磁场与电磁波
412 基础光学
410 固体物理
426 物理光学
物理电子学院复试题
光电信息学院复试题
（1，6）
2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编二
080201 机械制造及其自动化
080202 机械电子工程
080401 精密仪器及机械
080402 测试计量技术及仪器
081101 控制理论与控制工程
081102 检测技术与自动化装置
081104 模式识别与智能系统
430 信号与系统
416 理论力学
415 控制工程
409 电子测量原理
418 数字电路
436 自动控制原理
自动化学院复试题
机电学院复试题
（2，1）
2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编三
030103 宪法学与行政法学
030205 马克思主义理论与思想政治教育
030206 国际政治
050302 传播学
070102 计算数学
070104 应用数学
070105 运筹学与控制论
120401 行政管理
（2，2）
2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编四
020202 区域经济学
020209 数量经济学
080501 材料物理与化学
080920 电子信息材料与元器件
081704 应用化学
120100 管理科学与工程
120120 新兴技术管理
120121 信息管理与电子商务
120202 企业管理
120204 技术经济及管理
083100 生物医学工程
071011 生物物理学
（2，3）
2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编五
081021 信息安全
081201 计算机系统结构
081202 计算机软件与理论
081203 计算机应用技术
081280 软件工程
080902 电路与系统
080904 电磁场与微波技术
081001 通信与信息处理
081002 信号与信息处理
081020 信息获取与探测技术
110505 密码学
403 大学物理
422 天线
404 电磁场与电磁波
405 电动力学
432 信号与系统和数字电路
431 信号与系统和模拟电路
423 通信与信号系统
413 计算机专业基础
通信学院复试题
电子工程学院复试题
计算机学院复试题
（2，4）
2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编六
050211 外国语言学及应用语言学
223 日语
224 德语
225 法语
312 英语水平测试
434 英语写作与翻译
外语学院复试题
（2，5）
2005年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编一
070204 等离子体物理
070205 凝聚态物理
070207 光学
070208 无线电物理
080300 光学工程
080900 电子科学与技术
080901 物理电子学
314 高等数学
406 大学物理
403 电路分析基础
409 信号与系统
410 天线
412 电磁场与电磁波
417 基础光学
420 固体物理
物理电子学院复试题
光电信息学院复试题
（2，6）
2005年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编二
080201 机械制造及其自动化
080202 机械电子工程
080401 精密仪器及机械
080402 测试计量技术及仪器
081101 控制理论与控制工程
081102 检测技术与自动化装置
081104 模式识别与智能系统
409 信号与系统
415 理论力学
416 控制工程
418 电子测量原理
419 数字电路
426 自动控制原理
自动化学院复试题
机电学院复试题
（3，1）
2005年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编三
030103 宪法学与行政法学
030205 马克思主义理论思想政治教育
030206 国际政治
050302 传播学
070102 计算数学
070104 应用数学
070105 运筹学与控制论
120401 行政管理
310 管理学
311 国际政治学
313 数学分析
316 宪法学
402 社会心理学
403 战后国际关系史
405 线性代数
433 管理信息系统
436 行政法与行政诉讼法
437 传播学导论与新闻学概论
政管学院复试题
数学学院复试题
（3，2）
2005年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编四
020202 区域经济学
020209 数量经济学
080501 材料物理与化学
080502 材料学
080903 微电子学与固体电子学
080920 电子信息材料与元器件
081704 应用化学
120100 管理科学与工程
120120 新兴技术管理
120121 信息管理与电子商务
120202 企业管理
120204 技术经济及管理
401 经济学基础
406 大学物理
420 固体物理
421 物理化学
424 微电子器件
427 电介质物理
428 磁性物理
432 管理学原理
434 数字电路与模拟电路
438 无机化学
439 半导体物理
微固学院复试题
管理学院复试题
（3，3）
2005年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编五
071011 生物物理学
083100 生物医学工程
314 高等数学
317 分子生物学
406 大学物理
407 电路分析基础
413 电动力学
430 数字图象处理
431 低频电子线路
435 生理学
生命学院复试题
（3，4）
2005年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
080902 电路与系统
080904 电磁场与微波技术
081001 通信与信息处理
081002 信号与信息处理
081020 信息获取与探测技术
110505 密码学
406 大学物理
410 天线
412 电磁场与电子波
413 电动力学
422 信号与系统与数字电路
423 信号与系统与模拟电路
425 通信与信号系统
通信学院复试题
电子工程学院复试题
（3，5）
2005年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
081021 信息安全
081201 计算机系统结构
081202 计算机软件与理论
081203 计算机应用技术
081280 软件工程
计算机专业基础
计算机原理
统考政治试题及参考答案
统考英语试题及参考答案
数学一试题及参考答案
（3，6）
（4，1）
2004年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编一
070204 等离子体物理
070205 凝聚态物理
070207 光学
070208 无线电物理
080300 光学工程
080900 电子科学与技术
080901 物理电子学
（4，2）
2004年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编二
080201 机械制造及其自动化
080202 机械电子工程
080401 精密仪器及机械
080402 测试计量技术及仪器
081101 控制理论与控制工程
081102 检测技术与自动化装置
081104 模式识别与智能系统
409 信号与系统
415 理论力学
416 控制工程
418 电子测量原理
419 数字电路
426 自动控制原理
自动化学院复试题
机电学院复试题
（4，3）
2004年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编五
071011 生物物理学
083100 生物医学工程
314 高等数学
317 分子生物学
406 大学物理
407 电路分析基础
412 电磁场与电磁波
413 电动力学
430 数字图象处理
431 低频电子线路
435 生理学
生命学院复试题
微机原理（复试）
原子物理（复试）
（4，4）
2004年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
080902 电路与系统
080904 电磁场与微波技术
081001 通信与信息系统
081002 信号与信息处理
081020 信息获取与探测技术
110505 密码学
406 大学物理
410 天线
412 电磁场与电子波
413 电动力学
422 信号与系统与数字电路
423 信号与系统与模拟电路
425 通信与信号系统
通信学院复试题
电子工程学院复试题
（4，5）
2004年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
081021 信息安全
081201 计算机系统结构
081202 计算机软件与理论
081203 计算机应用技术
081280 软件工程
计算机专业基础
计算机原理
统考政治试题及参考答案
统考英语试题及参考答案
数学一试题及参考答案
（4，6）
2003年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编三
030205 马克思主义理论与思想政治教育
030206 国际政治
070102 计算数学
070104 应用数学
070105 运筹学与控制论
120401 行政管理
数学分析
线性代数
常微分方程
计算方法
复变函数
概率论
软件技术基础
管理学
当代世界政治经济概论
宏观经济学
计算机原理与信息系统
世界现代史
思想政治教育方法论
管理心理学
英语听力
社会心理学
（5，1）
2003年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编四
020209 数量经济学
080501 材料物理与化学
080502 材料学
080903 微电子学与固体电子学
081704 应用化学
120100 管理科学与工程
120202 企业管理
管理学原理
经济学基础
大学物理
固体物理
电路分析基础
物理化学
管理学院复试题
微固学院复试题
（5，2）
2003年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编五
071011 生物物理学
083100 生物医学工程
大学物理
电路分析基础
生命科学导论
电磁场与电磁波
微机原理与应用
数字图像处理
低频电子线路
生命学院复试题
（5，3）
2003年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
081201 计算机系统结构
081202 计算机软件与理论
081203 计算机应用技术
计算机专业基础
计算机原理
统考政治试题及参考答案
统考英语试题及参考答案
数学一试题及参考答案
（5，4）
2003年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
080902 电路与系统
080904 电磁场与微波技术
081001 通信与信息系统
081002 信号与信息处理
110505 密码学
信号与系统和数字电路
信号与系统和模拟电路
通信与信号系统
天线
电磁场与电磁波
微波技术
通信学院复试题
电子工程学院复试题
（5，5）
（5，6）
2002年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
081201 计算机系统结构
081202 计算机软件与理论
081203 计算机应用技术
程序设计语言与编译
计算机系统结构
计算机原理
软件基础
组合数学
统考政治试题（理科）及参考答案
统考英语试题及参考答案
数学一试题及参考答案
（6，1）
2002年攻读硕士学位研究生入学考试试题汇编
080902 电路与系统
081001 通信与信息系统
081002 信号与信息处理
081102 监测技术与自动化装置
110505 密码学
通信与信号系统
信号与系统
微机原理与数字电路
电路分析基础与数字电路
电路分析基础与模拟电路
数字电路与模拟电路
电路分析基础
计算机原理
微机原理与应用
****************************
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http://www.yanzhao.uestc.edu.cn/uploads/2009sszsjz.mht
http://222.197.164.248/newsDetails.aspx?newsId=101
好好研究哈 gl
1.模拟CMOS集成电路设计(影印版) [平装]~ 罗扎 (作者)
2.模拟电子技术/国外电子与通信教材系列
【作者】：(美) 博伊尔斯塔德
【出版社】： 电子工业出版社
【出版日期】：2008-06-01
3.模拟电子技术(英文版)/国外电子与通信教材系列
【作者】：(美) 博伊斯坦
【出版社】： 电子工业出版社
【出版日期】：2007-09-01
4.电路基础
作者: Charles K.Alexander.Matthew N.O.Sadiku
出版社: 清华大学出版社
出版年: 2000-12
5. Semiconductor physics :an introduction/半导体物理简介/Karlheinz Seeger./8th ed.Springer/c2002.这是本书的第八版，是一本重点介绍半导体“物理”的教材。主要面向实验固体物理学领域的学生，读者应具备数学方面的基本知识。教师可将本书作为半导体物理和物理电子学领域的研究生课程教材使用，并可免费获取本书问题的答案手册。
6. Electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures/半导体结构的电学和光电性质/Jasprit Singh.Cambridge University Press/c2003.本书利用精选的例题阐述重要的概念，并包含250幅图表和200道练习题。全书贯穿了很多应用实例，来加强物理原理和实际器件之间的联系。适合工程和物理类学生和专业人员阅读。教师可获得答案手册和用于讲稿的视图。
7.High-speed heterostructure devices :from device concepts to circuit modeling/高速异质结构器件：从器件概念到电路建模/Patrick Roblin and Hans Rohdin.Cambridge University Press/c2002.本书最初为俄亥俄州立大学研究生课程的讲义，后来增加了配套的练习。现作为高速半导体器件方面的一本教科书，适合相关专业的研究生及工程师阅读使用。读者应先修过半导体器件方面的课程，课程深度与Streetman的《Solid State Electronic devices》相当，但并不要求对量子力学、热力学、能带结构、声子等知识有深入的了解。
8.Fundamentals of III-V devices :HBTs, MESFETs, and HEMTs/三五族器件基础：HBTs，MESFETs，和HEMTs/William LiuWiley/c1999
本书以简单易懂、系统连贯的方式全面介绍三五族的半导体器件，书中包括55个实例，说明给定应用中的器件设计根据。每章末的练习题，便于学生理解器件概念和设计根据。附录列出了不同材料和器件的参数。
9.《模拟和数字电子电路基础》 作者Anant Agarwal
本书通过介绍如何从麦克斯韦方程利用一系列简化假设直接得到集总电路抽象，在电气工程和物理间建立了清晰的联系。 本书中始终使用抽象的概念，以统一在模拟和数字设计中所进行的工程简化。 本书更为强调数字领域。但我们对数字系统的处理却强调其模拟方面。从开关、电源、电阻器和MOSFET开始，介绍KCL、KVL应用等内容。本书表明，数字特性和模拟特性可通过关注元件特性的不同区域而获得。
半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和积体电路的电子材料。
基本介绍中文名 ：半导体材料 外文名 ：semiconductor material 分类 ：电子材料 导电能力 ：介于导体与绝缘体之间 电阻率 ：1mΩ·cm～1GΩ·cm 作用 ：可用来制作半导体器件和积体电路 特性 ：半导体电导率随温度的升高而升高 简介,主要种类,新型材料,实际运用,相关材料,特性信息,特性参数,特性要求,材料工艺,套用发展,早期套用,发展现状,战略地位, 简介 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。 由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化矽(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现电晶体化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体矽（Si）以后，不仅使电晶体的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模积体电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。 半导体材料 主要种类 半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 元素半导体 在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布著11种具有半导性 的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中套用最广的两种材料。 半导体材料 无机化合物半导体 分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在套用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的套用范围方面起很大作用。 半导体材料 三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系（例如Cu2FeSnS4）和更复杂的无机化合物。 有机化合物半导体 已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到套用。 非晶态与液态半导体 这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。 新型材料 其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应电晶体。 科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智慧型绷带、柔性显示屏、智慧型挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。 昂贵的原因主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由矽制成，制造成本很高而碳基(塑胶)有机电子产品不仅制造方便、成本低廉，而且轻便柔韧可弯曲，代表了“电子设备无处不在”这一未来趋势。 以前的研究表明，碳结构越大，其性能越优异。但科学家们一直未曾研究出有效的方法来制造更大的、稳定的、可溶解的碳结构以进行研究，直到此次祖切斯库团队研制出这种新的用于制造电晶体的有机半导体材料。 有机半导体是一种塑胶材料，其拥有的特殊结构让其具有导电性。在现代电子设备中，电路使用电晶体控制不同区域之间的电流。科学家们对新的有机半导体材料进行了研究并探索了其结构与电学属性之间的关系。 实际运用 制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。 半导体材料 绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法套用最广，80%的矽单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中矽单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性矽单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯矽单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。 在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。 相关材料 单晶制备 为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较好的单晶。具体的制备方法有：①从熔 体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶。前两种方法用来生长体单晶，用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1～2米的锗、矽单晶体。后两种方法主要用来生长薄层单晶。这种薄层单晶的生长一般称外延生长，薄层材料就生长在另一单晶材料上。这另一单晶材料称为衬底，一方面作为薄层材料的附着体，另一方面即为单晶生长所需的籽晶。衬底与外延层可以是同一种材料(同质外延)，也可以是不同材料（异质外延）。采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；采用从汽相中生长单晶原理的称汽相外延。液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质，例如GaAs)，溶于某一溶剂（例如液态镓）成饱和溶液，然后将衬底浸入此溶液，逐渐降低其温度，溶质从过饱和溶液中不断析出，在衬底表面结晶出单晶薄层。汽相外延生长可以用包含所需材料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原等化学反应淀积于衬底上，也可以用所需材料为源材料，然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使源材料变为气态，再在衬底上凝聚。分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法可以精确控制射向衬底的蒸气速率，能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶，并可得到不同材料不同厚度的互相交叠的多层外延材料。非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题，但制备工艺与上述方法相似，一般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。 半导体材料 宽频隙半导体材料 氮化镓、碳化矽和氧化锌等都是宽频隙半导体材料，因为它的禁频宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化矽可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要套用。广播电台、电视台，唯一的大功率发射管还是电子管，没有被半导体器件代替。这种电子管的寿命只有两三千小时，体积大，且非常耗电；如果用碳化矽的高功率发射器件，体积至少可以减少几十到上百倍，寿命也会大大增加，所以高温宽频隙半导体材料是非常重要的新型半导体材料。 半导体材料 这种材料非常难生长，矽上长矽，砷化镓上长GaAs，它可以长得很好。但是这种材料大多都没有块体材料，只得用其它材料做衬底去长。比如说氮化镓在蓝宝石衬底上生长，蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶格常数相差很大，长出来的外延层的缺陷很多，这是最大的问题和难关。另外这种材料的加工、刻蚀也都比较困难。科学家正在着手解决这个问题，如果这个问题一旦解决，就可以提供一个非常广阔的发现新材料的空间。 低维半导体材料 实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物感测器件等，以造福人类。可以预料，纳米科学技术的发展和套用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式，也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。 电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动，另外两个方向上受到限制；量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小，电子在三个方向上都不能自由运动，能量在三个方向上都是量子化的。 半导体材料 由于上述的原因，电子的态密度函式也发生了变化，块体材料是抛物线，电子在这上面可以自由运动；如果是量子点材料，它的态密度函式就像是单个的分子、原子那样，完全是孤立的 函式分布，基于这个特点，可制造功能强大的量子器件。 大规模积体电路的存储器是靠大量电子的充放电实现的。大量电子的流动需要消耗很多能量导致晶片发热，从而限制了集成度，如果采用单个电子或几个电子做成的存储器，不但集成度可以提高，而且功耗问题也可以解决。雷射器效率不高，因为雷射器的波长随着温度变化，一般来说随着温度增高波长要红移，所以光纤通信用的雷射器都要控制温度。如果能用量子点雷射器代替现有的量子阱雷射器，这些问题就可迎刃而解了。 半导体材料 基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟，广泛地套用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。量子级联雷射器是一个单极器件，是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源，在自由空间通信、红外对抗和遥控化学感测等方面有着重要套用前景。它对MBE制备工艺要求很高，整个器件结构几百到上千层，每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度，中国在此领域做出了国际先进水平的成果；又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱雷射器，它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点，中国已有很好的研究基础；在量子点（线）材料和量子点雷射器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成绩。 半导体材料 材料中的杂质和缺陷 杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。这些杂质原子最终在晶体中的分布，除了决定于生长方法本身以外，还决定于生长条件的选择。例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外，还受到熔体中不规则对流的影响而产生杂质分布的起伏。此外,无论采用哪种晶体生长方法,生长过程中容器、加热器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质，这种情况称自掺杂。晶体缺陷控制也是通过控制晶体生长条件（例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等）来实现的。随着器件尺寸的日益缩小，对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也要有所限制。因此如何精心设计，严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。 特性信息 特性参数 半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁频宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁频宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。 半导体材料 特性要求 半导体材料的特性参数对于材料套用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。 半导体材料 电晶体对材料特性的要求 ：根据电晶体的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的电晶体可以工作于更高的频率（有较好的频率回响）。晶体缺陷会影响电晶体的特性甚至使其失效。电晶体的工作温度高温限决定于禁频宽度的大小。禁频宽度越大，电晶体正常工作的高温限也越高。 光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁频宽度有关。材料的非平衡载流子寿命越大，则探测器的灵敏度越高，而从光作用于探测器到产生回响所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长。因此，高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。对于太阳能电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的非平衡载流子寿命和适中的禁频宽度(禁频宽度于1.1至1.6电子伏之间最合适)。晶体缺陷会使半导体发光二极体、半导体雷射二极体的发光效率大为降低。 温差电器件对材料特性的要求：为提高温差电器件的转换效率首先要使器件两端的温差大。当低温处的温度（一般为环境温度）固定时，温差决定于高温处的温度，即温差电器件的工作温度。为了适应足够高的工作温度就要求材料的禁频宽度不能太小，其次材料要有大的温差电动势率、小的电阻率和小的热导率。 材料工艺 半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化，而载流子迁移率和非平衡载流子寿命 一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。另一方面，半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。而对于晶体缺陷，除了在一般情况下要尽可能减少和消除外，有的情况下也希望控制在一定的水平，甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的，需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法，即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。 半导体材料 半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分凝现象，当此熔区从一端至另一端重复移动多次后，杂质富集于锭条的两端。去掉两端的材料，剩下的即为具有较高纯度的材料（见区熔法晶体生长）。此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。锗、矽是能够得到的纯度最高的半导体材料，其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。 套用发展 早期套用 半导体的第一个套用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极体（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。 半导体材料 从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于侦探飞机和船舰。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次侦探到了德国的飞机。 发展现状 相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着晶片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算， 日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。 半导体材料 美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。 日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。 晶片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自矽晶圆。矽晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。 半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、晶片级封装和倒装晶片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。 与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。 战略地位 20世纪中叶，单晶矽和半导体电晶体的发明及其矽积体电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs雷射器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了资讯时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和套用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
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