锑化汞和锑氧化汞的区别

锑化汞半导体金属化合物。对温度敏感常用来做感应器 远红外成像仪也常用到。锑氧化汞，又称（红汞、饼酸汞），化学式 Ho207S67，分子量 1365.5。市场上常液体和粉状有两种规格，颜色为咖啡红 ，纯度为 99.995%，多为俄罗斯产主要应用于火箭发射、军事、探矿等领域，因其稀有价格昂贵。锑氧化汞在某些特定条件下可释放中子，因此在核工业上有广泛用途。注意与常用的红药水（红汞，汞红）并非同一物质。

第四代半导体材料：以氧化镓(Ga2O3)为代表

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。

第四代半导体的发展背景

随着量子信息、人工智能等高新技术的发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在更新迭代。虽然前三代半导体技术持续发展，但也已经逐渐呈现出无法满足新需求的问题，特别是难以同时满足高性能、低成本的要求。

此背景下，人们将目光开始转向拥有小体积、低功耗等优势的第四代半导体。第四代半导体具有优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能，在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。

目前具有发展潜力成为第四代半导体技术的主要材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓、铟化砷化合物半导体；超宽带隙的氧化物材料；其他各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材料等。

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