是要哪里有半导体封装测试工厂，机器是ASM,KS的

1美国国家半导体公司(NationalSemiconductor ) 主要是生产芯片，也就是晶圆扩散工程。2快捷半导体公司,主要从事分立功率器件的封装(分立式器件一般来说就是二极管三极管)3三星电子（苏州）半导体有限公司主要产品有DRAM，SRAM，FLASH，MEMORY等4嘉盛半导体 也是生产芯片的5超威半导体 也就是AMD啦 生产cpu的6飞索半导体（FASL LLC）闪存 和上面的AMD有渊源哦(是世界最大的闪存生产企业FASL LLC的全资子公司，它是由世界知名企业AMD和富士通强强联合，合并各自的闪存业务组成的，公司将以Spansion这个新名字作为产品的全球品牌名称。"飞索半导体（苏州）有限公司"的前身是"超微半导体（苏州）有限公司"，即AMD（苏州）。AMD（苏州）于1996年在苏州工业园区成立，其主要产品广泛应用于卫星，移动通信和汽车。)7晶方半导体科技 是由以色列shellcase ltd.与英菲尼迪-中新创业投资企业,主要生产影像传感芯片（ccd和cmos）晶圆级芯片

半导体封测设备：受益下游扩产、先进封装发展及芯片复杂性提升，景气向上

1) 半导体封测设备2017年全球销售额近60亿美元，增长3.3%。趋势来看，有望启动新一轮景气周期，未来2-3年进一步增长。

2) 除周期因素外，封装设备的增长驱动因素为：a。国内晶圆厂兴建引导封测企业增加产能，加大封测设备投资；b。先进封装发展促进新的封装设备购置；c。 芯片复杂性和下游应用多样性的增加促进测试设备的需求增长。

半导体封测行业：近10年销售额复合增长15%，先进技术+海外并购

1) 近10年全球封测销售额复合增长15%。封测在国内半导体产业链中占比最大(约35%)，国产化率最高，是产业链中最具国际竞争力的环节。

2) 通过海外并购整合，中国大陆封测市场迅速壮大，市场份额跃居全球第二。

3) Yole预测中国到2020年先进封装的年复合增长率将达到18%，国内封测企业不断在先进封装技术领域加强研发力度加快布局。

4) 半导体封测技术：封装技术正从传统的引线键合向倒装芯片、硅通孔、扇入/扇出型晶圆级封装等先进封装技术演进，集成度持续提升。

半导体封测设备：受益晶圆扩产规模增加，设备国产化空间巨大

1) 受晶圆厂扩产推动，长电科技与华天科技等封测龙头宣布扩产，封测企业也将进入新一轮资本开支周期，上游封测设备企业将直接受益。

2) 半导体封装设备龙头ASMP(市占率25%)；测试设备龙头泰瑞达(市占率48%)、爱德万(市占率39%)，中国企业市场份额有很大提升空间

全球封装设备龙头ASMP:近10年来营业收入复合增速17%

1) 全球半导体封装设备龙头，业绩持续增长，盈利能力维持高位：市值近330亿元人民币，近10年营收复合增速17%。2017年ASMP实现销售收入147亿元人民币，同比增加15%；实现净利润23.53亿元，同比增长80%。主营业务中的后工序业务和SMT解决方案业务连续多年全球市占率第一；2017年整体毛利率达到40%新高。

2) 专注半导体封装领域，研发投入规模维持高位：高强度研发投入保障产品巩固市场地位、紧跟前沿需求，2012年来研发费用占营收比例均高于8%。

3) 持续并购获取外部资源保持成长性：2010年和2014年公司先后收购SEAS表面贴装业务和DEK印刷机业务，进入表面贴装SMT领域。2018年，收购NEXX与AMICRA纳入后工序设备业务分部。

4) 顺应半导体产能转移趋势全球布局：ASMP紧盯下游产能转移灵活布局，切入中国市场，2017年在中国大陆的营收占比42.6%，有稳步上升趋势。

重点关注：ASMP、美国泰瑞达、日本爱德万、长川科技、精测电子

1) ASMP(0522.HK)：全球半导体封装设备龙头，产品优势明显。

2) 美国泰瑞达(TER.N)：全球半导体测试设备龙头，市值约550亿人民币。

3) 日本爱德万(6857.T)：日本半导体测试设备龙头。

4) 长川科技(300604)：国内测试设备龙头企业，有望率先实现进口替代。

5) 精测电子(300567)：面板领域检测设备龙头，成功切入半导体检测设备。

我们战略看好半导体封测设备行业。重点关注ASMP、美国泰瑞达、日本爱德万、长川科技、精测电子。

风险提示：半导体行业扩产进度不及预期 ，设备进口替代进展不及预期。

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。

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