封装之后的测试不熟,有FT、SLT等,具体不详,yield map一类,以前在fab的时候,看到的是结果,具体测法不详,说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。
1,出厂必测的WAT,wafer acceptance test,主要是电性能测试,每一类晶体管的参数,电压电容电阻等,每一层金属的电阻,层间的电容等,12寸厂的晶圆抽测9颗样点,均匀分布在整个wafer上,答主熟悉的55nm技术,每一个样点上必测70~120个参数,整片wafer测完约需要10~15分钟,设备主要是安捷伦和东电的;
2,在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等,膜厚是13点,线宽是9点;
3,光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值,要配合后端芯片的再制备;
4,在测试芯片(非生产性正常检测)的时候,还会测试NBTI、TDDB、GOV等;
5,其他根据芯片特性的测试。
如今,新兴产业的发展进一步证明了半导体测试的重要性。随着通信速度的加快,基带和射频前端都受到了挑战。由于需要支持多种模式,射频前端还将集成功率放大器、低噪声放大器(LNA)、双工器和天线开关等模块,并将它们封装在一个组件中。在设计和生产过程中,检测变得非常重要。只有准确地测量器件的参数,才能优化设计方案,提高产品生产的成功率。
对于半导体检测,虽然需要用于大规模生产、实验室、晶片等环节,但相关环节也比较复杂,但电气性能测试是基本环节,半导体器件或模块在研究开发、设计和生产过程中是必不可少的环节。
在电气性能测试环节中,电流测试方案是源测量单元(SMU)。SMU是一种具有电压输出和测量以及电流输出和测量功能的精密电源仪表。这种电压和电流的控制给你提供了通过欧姆定律计算电阻和功率的灵活性,它可以同时控制和测量电压和电流,主要为消费类电子产品、IC设计和验证以及其他实验室提供电气性能测试。
目前市场上有许多(SMU)厂家可以提供源测量单元,相关产品很多,但测试仪器越贵,测试精度越高,从某种意义上说,要掌握源测量单元(SMU),就必须了解产生误差的原因和减小误差的方法。
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