半导体中cvd pvdALD什么

cvd：Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。pvd:（Vapor )，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。ALD:原子层沉积。拓展由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。

其含义c是气3相中3化1学反5应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下k列部件组成；反7应物供应系统，气3相反7应器，气4流传送系统。反6应物多为0金属氯化8物，先被加热到一g定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气5（一s般为6Ar或H3）送入v反4应器。如果某种金属不a能形成高压氯化4物蒸汽，就代之d以8有机金属化2合物。在反2应器内4，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上y，或沉没在粉末8的流化0床中7，或本身就是流化5床中4的颗粒。化3学反3应器中7发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气1（多为2HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。 沉积反3应可认4为5还原反2应、热解反7应和取代反0应几a类。CVD反3应可分6为5冷壁反7应与l热壁反0应。在热壁反1应中7，化1学反4应的发生与t被涂物同处一h室。被涂物表面和反3应室的内1壁都涂上b一z层薄膜。在热壁反8应器中1只加热被涂物，反3应物另行导入q。2011-10-28 11:18:35

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