半导体干刻工艺？

刻蚀技术可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（selectivity）。然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时，侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切（Undercut）现象，导致图案线宽失真。

我不知道这个行业的事情

不过目前我在实验室里搞这些玩意。。关于腐蚀工艺，你会用到很多高强度的酸碱，有一定危害~目前腐蚀工艺里面伤害最大的是HF，氢氟酸。这玩意算是气体，用的时候一般是做成溶液的，如果沾到手上就很麻烦，一开始没什么感觉，疼的时候就太晚了。。最严重的时候是要截肢的。不过一般来说是有保护措施的，一般是：里面一层无尘服，口罩，橡胶手套；外面一层专门的防酸手套，防溅的外套，防酸或者防碱的头盔。

一般液体腐蚀工艺会用到HF，NaOH，HNO3等等，有毒气体除了HF倒没啥~

如果是干燥腐蚀工艺（Dry Etch）就更没事了，都是用机器做的，一般是用离子腐蚀

所以结论是，做好个人防护就没有事情~没什么太大害处~

前途这个，我不好说~抱歉鸟~

Anisotropic Etch 主要是在etch的时候对材料的各个方向的腐蚀速度不一样~比如说硅，用KOH对100向和110向的硅蚀刻的时候，速度就完全不一样~100会快很多~

Dry etch的话，主要是将一些气体电离成离子态，然后用电磁加速打向目标，与目标材料反应~

其实我觉得你说的这两个东西其实不是一个横向可比的东西。。

etch可以根据腐蚀是否有方向性分为 Anisotropic 和 Isotropic两种。

如果以用作蚀刻的材料来分，可以分为wet（比如上面说的KOH）和dry（典型是RIE，Reactive Ion Etch）两种。

如果硬要比的话，dry etch要比anisotropic etch好，因为dry etch可以提供一个非常好的side wall~就是说蚀刻后的那个洞的内壁和底部可以做到几乎垂直~不过具体效果要看dry etch的方法和材料以及目标材料~

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