英诺赛科(苏州)半导体有限公司怎么样？

英诺赛科(苏州)半导体有限公司是2017-10-23在江苏省苏州市吴江市注册成立的有限责任公司(自然人投资或控股)，注册地址位于苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号。

英诺赛科(苏州)半导体有限公司的统一社会信用代码/注册号是91320509MA1T5BWP05，企业法人WEIWEILUO，目前企业处于开业状态。

英诺赛科(苏州)半导体有限公司的经营范围是：半导体器件的研发、设计、生产、销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。本省范围内，当前企业的注册资本属于一般。

通过百度企业信用查看英诺赛科(苏州)半导体有限公司更多信息和资讯。

芯片早已经成为日常生活中不可替代的产品，任何的电子设备都会用上芯片。全球每年对芯片的需求都在几亿，几十亿颗以上。不过传统的芯片工艺几乎都是一致的，基于硅基材料生产芯片。

芯片的基础材料是硅，而硅的来源是在一堆沙子中不断提取纯度为99.99999%的硅。再将硅打磨成硅片，制成晶圆，最终经过上千道的工序形成芯片。而这一切的基础都是硅，因此市面上的芯片也被统称为硅基芯片。

然而硅基芯片也面临一个问题，那就是物理极限的限制。

随着芯片制程的不断突破，已经在向4nm，3nm甚至更先进的1nm发起 探索 ，但物理极限终会成为一道束缚。到时候硅基芯片到达尽头，可能人类 科技 也会陷入迟缓。

因此探究新工艺，新材料成为备受瞩目的热门话题。但真的有可能在硅基芯片之外取得新材料的突破吗？答案是有可能。

一则好消息传来，中国企业英诺赛科（苏州）半导体有限公司实现巨大突破，在硅基氮化镓材料上完成量产。英诺赛科已经建立起8英寸硅基氮化镓量产生产线，这也意味着不仅取得了新材料的攻克，而且进入到了量产阶段。

根据资料显示，硅基氮化镓芯片量产生产线建成之后，可实现年产值100亿，年产能也可以达到78万片硅基氮化镓芯片晶圆。

这是世界上首座氮化镓芯片量产项目，在中企的攻克下，对国产芯片的发展都会带来巨大的意义。

现如今业内正不断 探索 传统硅基芯片之外的新材料，新工艺。此前中科院研究的8英寸石墨烯晶圆就在半导体领域取得了显著进步，由于未实现量产，因此石墨烯制成的碳基芯片还处在研究阶段。

但氮化镓芯片则不同，英诺赛科已经立项建设生产线，将氮化镓推广量产。那么氮化镓能取得硅基芯片吗？性能表现又如何呢？

氮化镓属于第三代半导体材料，和硅不同的是，氮化镓无法靠自然界形成，必须要靠人工合成。其优势对比硅材料是很明显的，由氮化镓制成的器件，功率是硅的900倍。禁带宽带比硅高出3倍左右。击穿场强也高于硅11倍。

除此之外，氮化镓还有散热高，体积小，损耗小的优点。如果能够对氮化镓加以开发，取代硅基芯片是没有问题的。充电器，元器件等等部件，都能用上氮化镓。

硅基芯片统治了芯片界几十年，而研制出硅材料并掌握专利技术的是美国人。所以只要用上硅基芯片，不管有多少技术是自研的，从根源上就很难绕开美国技术。

并且摩尔定律即将到达极限已经是业内公认的事实，只不过是时间问题。当集成电路可容纳晶体管无法进一步提升时，那么就将迎来后摩尔时代的新挑战。也就是新材料，新工艺。

有的芯片企业重点研究封装，而有的则在 探索 芯片新材料。而中国要面临的后摩尔时代挑战在于产业链太宽，太长。大而不强是一个需要解决的问题，把产业链提升上去以后，才能顺利迎接挑战。

同时光刻机、光刻胶、芯片制程工艺等等，都还有很长的路要走。所以总的来说，中企能够攻克新材料，只是做好了迎接挑战的准备，真正的挑战还在后头。

美国掌握大量的芯片技术，所以2020年对中企实施芯片规则时，几乎没有一家企业能够逾越美国技术向中企攻克。这也让我们意识到，必须从根本上解决技术难题。

英诺赛科的氮化镓芯片或许只是迈出的第一步，想要改变整个芯片市场格局并非易事。所以期待能有更多的技术取得突破，到时候面对挑战，也能巍然矗立。

对英诺赛科的新材料突破你有什么看法呢？

英诺赛科上市能赚多少，今年实际收入大概在2400万美元,英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，总占地24.5万平方米，属于江苏省重点项目，一期投资总额超60亿元人民币。项目预计今年年底进入试生产阶段。英诺赛科相关负责人表示，氮化镓功率芯片量产线的通线投产，填补了我国高端半导体器件的产业空白，同时也意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到突破。

关于英诺赛科：

英诺赛科于2015年底成立，是一家专业从事第三代半导体硅基氮化镓芯片开发与制造的企业，成立至今先后引进了近百名国际一流知名半导体企业的顶尖人才，组建国际一流半导体研发团队，开展自主研发工作，形成了自主可控核心技术，并已申请290余项国内外核心专利。

作为全球领先的硅基氮化镓功率器件制造商，英诺赛科采用集研发、设计、生产、制造和测试为一体的IDM模式，全产业链技术自主可控。商业模式具有明显高效低成本优势，优于国际友商，同时实现全产业链核心技术自主可控，为公司产品的快速迭代创新提供了一个最好的平台。

英诺赛科主要产品为30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等，产品覆盖面为全球氮化镓企业之首。公司的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线，使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。

英诺赛科积极建立完善基于硅基氮化镓的第三代半导体的生态体系，与众多国际、国内IC设计公司、磁材料公司、先进封装厂等厂商深度合作，开发针对硅基氮化镓的配套系统，建立自主可控的生态系统。尤其在快充领域，英诺赛科“InnoGaN”氮化镓功率器件已被魅族、努比亚、ROCK、飞频、Lapo等多个品牌的采用，并实现了大规模量产，产品性能获得市场一致认可。

---