rbe的计算公式

rbe的计算公式：rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}]，计算的是三极管的输入电阻。三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管。

二极管电流和阳极面积计算公式是：I=A/t，其中I为二极管电流，A为阳极面积，t为时间。

这个公式的原因是：二极管是一种半导体器件，它的特性是在一定的电压下，其电流是由阳极面积和时间共同决定的。由于二极管的特性，当阳极面积增大时，电流也会增大；当时间增加时，电流也会增大。因此，

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