半导体外延生长厚度

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

这个0.7V叫做势垒电压，与半导体元件的耗尽层厚度有关，而具体的数值受半导体生产时的工艺影响，有一定离散性，看二极管的数据手册，这个势垒电压也不是一个固定值。之所以一般说是0.7V，我觉得很可能是因为教科书上就是这么说的。

---