p-podyimp是什么意思在半导体中

p-podyimp是什么意思在半导体中:

imp是半导体工艺，imp全写是P-ESDIMP。

P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP，P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。

利用P型的P-ESDIMP工艺技术制造的ESDNMOS仍可保留LDD结构，因此该ESDNMOS器件仍可使用较短沟道长度，它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似，除了击穿电压不同之外，不必另外抽取这种ESDNMOS器件的SPICE参数。

早期在笔记本计算机上使用现在大量用在手机~MP3~MP4~等电子产品上~!

TFT LCD技术是微电子技术和LCD技术巧妙结合的高新技术。利用微电子精细加工技术和Si材料处理技术，开发大面积玻璃基板上生长Si材料和TFT平面阵列的工艺技术，与日益成熟的LCD制作技术相结合，不断提高产品的显示品质，增强自动化大规模生产能力，大幅度地提高产量，提高合格率，降低成本，性能/价格比向CRT接近。

---- 在显示品质方面，以分辨率为例，由CGA（320×200）、VGA（640×480）、SVGA（800×600）、XGA（1024×768）、SXGA（1280×1024）到UXGA（1600×1200），大约7年时间。图1表示TFT LCD分辨率发展速度，基本符合摩尔定律。说明TFT LCD发展速度和计算机芯片发展速度一致，这正是TFT LCD与计算机适配性和发展速度的同步性。

---- 表1 各种引线技术

最小间隙（μm） 分辨率（线/英寸） 成本（美元/块）

COB 280 100 380

TAB 170 150 190

COG 60 400 110

集成技术 25 1000 30

---- 为进一步提高TFT LCD分辨率，要减小TFT尺寸，并保证开口率，同时涉及到引线技术的有限性。表1列出当前采用各种引线技术的引线密度。为了解决高分辨率显示，只好采用p-Si材料，把周边驱动的电路集成到屏上。高温多晶硅技术已实现周边驱动电路集成到LCD屏上，应用于投影显示。但多晶硅生产温度高于1000℃，衬底用石英基板，石英板成本高。因此，人们研究开发在玻璃衬底上生长低温p-Si技术，有低压PECVD技术可在玻璃衬底上生长p-Si，还有把a-Si材料重结晶成p-Si，如有金属诱导生长法和激光退火法。当前，低温p-Si TFT LCD的大规模生产，主要采用XeCl准分子激光退火（ELA）技术。用PECVD法在400×500mm2玻璃基板上生长50nm厚度a-Si薄膜，用激光退火重结晶得到如图2所示的p-Si晶粒[1]，图中照片表示不同晶粒大小的扫描电镜形貌。晶粒小于0.3μm时，迁移率与晶粒大小很密切，大于0.3μm开始，空穴迁移率几乎不变，这表明在ELA过程中形成的浅能级陷阱束缚空穴。电子迁移率晶粒尺寸变大，缓慢增加，迁移率为100～200cm2/vs。为了得到均匀的TFT开关特性，p-Si晶粒尺寸控制在1μm左右。

---- 图3表示C-MOS结构周边驱动集成电路的n沟道和p沟道p-Si TFT断面图。在玻璃衬底上涂SiN/SiO2层，防止玻璃中碱金属浸入到Si有源层，低电阻合金作为栅极和栅线。防止ELA过程中融蚀a-Si层，在a-Si中H浓度控制在1原子%左右。在n沟道TFT中采用轻掺杂漏极（LDD）结构改善了可靠性和降低暗电流。图4给出n沟道和p沟道TFT I-V特性。沟道宽度（W）和长度（L）分别为9μm和4.5μm，电子和空穴迁移率分别为μn=236cm2/vs和μp=120cm2/vs,阈

照度计算方法：

利用系数法

此方法用于计算平均照度  = (光源光通量)×(CU)×(MF)÷ 照射区域面积

利用系数： 一般室内取0.4，体育取0.3

灯具的照度分布

灯具效率

灯具在照射区域的相对位置

被包围区域中的反射光

维护系数MF=(LLD)X(LDD)一般取0.7～0.8

当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。

它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。限流电阻R可用下式计算：R=（E－UF）/IF

式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的正常工作电流。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。 当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。

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