电力电子器件又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。
功率半导体器件通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上。
功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备。
扩展资料
电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。
80年代初期出现的MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件,推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。
80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管,以及各种组合器件,综合了晶闸管、MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点,在性能上又有新的发展。
参考资料来源:百度百科-电力电子器件
功率半导体器件,也叫电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。原理是:通过控制门极信号控制功率半导体器件的导通和关断。半控型器件,只可控制其导通,不可控制其关断。全控型器件,导通和关断都可控制。半导体分立器件制造行业主要上市公司:目前国内半导体分立器件制造行业的上市公司主要有华润微(688396)、士兰微(600460)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、新洁能(605111)、苏州固锝(002079)、银河微电(688689)、立昂微(605358)、捷捷微电(300623)、台基股份(300046)等。
本文核心数据:功率半导体分立器件产量、产值、市场结构
1、功率分立器件产量和产值持续上涨
功率半导体分立器件指额定电流不低于1A,或额定功率不低于1W的半导体分立器件。2015-2020年,中国功率半导体分立器件产量和产值均呈现持续上涨的趋势。2020年,中国功率半导体分立器件产量为4885亿只,较2019年同比增长8%。2020年,中国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元,较2019年同比增长3%。
2、MOSFET产品优势凸显、需求量大
功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类,其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴,SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率晶体管中,MOSFET和IGBT属于全控型分立器件,MOSFET根据应用特性的不同,还包括平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET等多种类型。
MOSFET在分立功率半导体器件当中排名首位,2019年占市场规模的36.3%,其次为二极管、其他三极管(包括IGBT)及晶闸管,市场份额分别为32.2%、26.0%及5.5%。
MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面而功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势。基于产品自身的特点和优势,MOSFET和二极管在功率分立器件市场中占据近70%的市场规模。在MOSFET下游应用的快速发展基础下,按MOSFET销售额划分的市场规模已由2015年的37亿美元增至2019年的53亿美元,复合年增长率约9.2%。
注:市场结构数据根据2019年市场规模数据计算所得。
3、功率分立器件市场规模将继续增长
展望未来,依据全球需求的普遍上升,加上中国制造分立器件如MOSFET、二极管及三极管的庞大产能,中国功率半导体分立器件市场规模预期将会持续增长。预计到2026年,中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只,产值将超过500亿元。
以上数据参考前瞻产业研究院《中国半导体分立器件制造行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。
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