1、不通电，现象是没有5V输出，遥控灯不亮，检查电源连接线和待机电路：保险丝、5V肖特基、整流桥、MOS管等；
2、不开机，现象是有5V输出，遥控灯亮，但是本遥控不开机，12V、24V无输出，这种情况看一下肖特基引脚处有无输出，在判断是否有初级损坏问题，芯片的供电有没有，驱动输出是否有，可以摘除过压、欠压保护等保护电路查找原因。
3、保险丝开路，记录清楚是否仅仅更换保险丝即可正常工作，还是后端半导体短路造成，这对于分析整改电源板很重要。
4、开机一段时间后电源保护，此时应改去掉过压保护看是否重现，问题一般出现在保护取样电路的电阻电容上。
5、屏闪，屏暗，有声无图等问题，可以先把电源的调光、背光开关强制接到5V上判断是否电源造成的，确认后从芯片供电和保护线路入手分析。
集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltagespike)所导致，因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
扩展资料：
一、IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。
二、若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
参考资料来源：百度百科-IGBT
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