第三代半导体材料都有什么？

第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表，我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。其中，碳化硅凭借其耐高压、耐高温、低能量损耗等特性被认为是5G通信晶片中最理想的衬底，氮化镓则凭借其高临界磁场、高电子迁移率的特点被认为是超高频器件的绝佳选择。需要说明的是，第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系。它们适用于不同的领域，应用范围有所交叉，但不是完全等同。第三代半导体有其擅长的领域，在特定的“舒适区”内性能确实是优于硅、锗等传统半导体材料，但在“舒适圈”之外，硅仍然占据王者地位

超高频传感器，该系列压力传感器、变送器是为满足用户在响应频率、外形结构、工作温度等方面特殊要求而设计的产品。以响应频率特点将其定义为微型探针型压力传感器、薄饼型压力传感器等，以耐温度特性将其定义为中高温压力传感器等。这种产品由于要满足用户的多重要求，变送器在结构上常常多采用分体式结构。

超高频传感器利用半导体硅极高的杨氏d性模量和优良的力学特性制成，使传感器具有很高的固有频率，结合本公司先进的内部，外部结构设计，减小了频率损耗。从而获得很高的响应频率和上升时间，是测量高频动态压力的理想产品。

特点：

高的频率响应个动态测量；宽的通频带；宽的工作温区；量程覆盖广；产品性能长期稳定性好。

使用场合：

石油、化工、航空航天、材料力学、土木工程、医疗器械、爆破试验、液压试验等流体压力的测量。

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