uv-vis是什么？

紫外-可见光光谱（Ultraviolet–visible spectroscopy，UV-Vis），又称紫外-可见分子吸收光谱法。

紫外-可见分光光度法是在190～800nm波长范围内测定物质的吸光度，用于鉴别、杂质检查和定量测定的方法。当光穿过被测物质溶液时，物质对光的吸收程度随光的波长不同而变化。因此，通过测定物质在不同波长处的吸光度，并绘制其吸光度与波长的关系图即得被测物质的吸收光谱。

从吸收光谱中，可以确定最大吸收波长λmax和最小吸收波长λmin。物质的吸收光谱具有与其结构相关的特征性。因此，可以通过特定波长范围内样品的光谱与对照光谱或对照品光谱的比较，或通过确定最大吸收波长，或通过测量两个特定波长处的吸收比值而鉴别物质。

用于定量时，在最大吸收波长处测量一定浓度样品溶液的吸光度，并与一定浓度的对照溶液的吸光度进行比较或采用吸收系数法求算出样品溶液的浓度。

显微分光光度法

显微镜样品的紫外可见光谱是通过将光学显微镜与紫外可见光学器件，白光源，单色仪和灵敏的检测器（如电荷耦合器件（CCD）或光电倍增管（PMT））集成在一起完成的。由于只有一条光路可用，因此它们是单光束仪器。现代仪器能够测量微米级采样区域的反射率和透射率中的紫外线可见光谱。

使用此类仪器的优势在于，它们能够测量微观样品，但也能够以高空间分辨率测量较大样品的光谱。因此，它们在法证实验室中用于分析单个纺织纤维中的染料和色素，微观油漆碎片和玻璃碎片的颜色。它们还用于材料科学和生物学研究，以及通过测量镜质体反射率来确定煤和石油烃源岩的能量含量。

显微分光光度计用于半导体和微光学行业，用于在沉积薄膜后监控薄膜的厚度。在半导体行业中，使用它们是因为电路的关键尺寸是微观的。半导体晶片的典型测试将需要从已图案化或未图案化的晶片上的许多点获取光谱。

沉积膜的厚度可以从干涉图案计算出光谱 此外，紫外可见分光光度法可用于确定厚度以及薄膜的折射率和消光系数，如薄膜材料的折射率和消光系数所述。然后可以生成整个晶片上的膜厚图，并将其用于质量控制目的。

以上内容参考 百度百科-紫外-可见分光光度法

二氧化锡一般指氧化锡

用途

用于搪瓷和电磁材料，并用于制造乳白玻璃、锡盐、瓷着色剂、织物媒染剂和增重剂、钢和玻璃的磨光剂等

二氧化锡（SnO₂）电极广泛应用于高档光学玻璃的熔炼以及电解铝行业，二氧化锡电级尤其适用于火石类玻璃、钡火石、钡冕，以及重冕玻璃等的熔炼，且对玻璃不产生污染。此项成果已通过河南省科技厅组织的专家鉴定，整体性能指标在国内处于领先水平，二氧化锡电级主要指标已达到国际先进水平。

SnO2电极性能技术指标

1、体积密度6.38-6.58g/cm3

2、抗弯强度

室 温 1155kg/cm2

1000℃ 641kg/cm2

1200℃ 166kg/cm2

1400℃ 95kg/cm2

3、电阻率(Ω· cm)

室 温 93

400℃ 6.1000

600℃ 1.4000

800℃ 0.0200

900℃ 0.0150

1000℃ 0.0098

1100℃ 0.0084

4、抗钠钙玻璃侵蚀速率(mm/h)

1000℃ 0.53 x 10-3

1100℃ 0.63 x 10-3

5、热膨胀率(1200℃ )

0.69%

SnO₂是一种重要的半导体传感器材料，用它制备的气敏传感器灵敏度高，被广泛用于各种可燃气体、环境污染气体、工业废气以及有害气体的检测和预报。以SnO2为基体材料制备的湿敏传感器，在改善室内环境、精密仪器设备机房以及图书馆、美术馆、博物馆等均有应用。通过在SnO2中掺杂一定量的CoO、Co2O3、Cr2O3、Nb2O5、Ta2O5等，可以制成阻值不同的压敏电阻，在电力系统、电子线路、家用电器等方面都有广泛的用途。

SnO₂由于对可见光具有良好的通透性，在水溶液中具有优良的化学稳定性，且具有特定的导电性和反射红外线辐射的特性，因此在锂电池、太阳能电池、液晶显示、光电子装置、透明导电电极、防红外探测保护等领域也被广泛应用。而SnO₂纳米材料由于具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应，在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面较传统SnO₂而言都会发生显著的变化，所以可以通过运用纳米材料来改善传感器材料的性能。

SnO2同时是一种优秀的透明导电材料。它是第一个投入商用的透明导电材料，为了提高其导电性和稳定性，常进行掺杂使用，如SnO₂：Sb、SnO₂：F等。SnO2和其掺杂都具有正方金红石结构（tetragonal rutile），如图所示。红色为O，黑色为Sn，SnO2由两个Sn和四个O原子组成，晶格常数为a=b=0.4737nm，c=0.3186nm，c/a=0.637。O^2-=0.140nm,Sn^4+=0.071nm。

SnO2是n型宽能隙半导体，禁带宽度为3.5-4.0eV，可见光及红外透射率为80%，等离子边位于3.2μm处，折射率>2,消光系数趋于0.SnO2附着力强，与玻璃和陶瓷的结合力可达20MPa，莫氏硬度为7—8，化学稳定性好，可经受化学刻蚀。SnO2作为导电膜，其载流子主要来自晶体缺陷，即O空位和掺杂杂质提供的电子。

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