区别:
一、结构不同
1、晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极。
2、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
3、二极管一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。
4、可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样,也是由PNPN四层半导体构成,外部也有三个电极,即门极G、阳极A和阴极K。
二、工作原理不同
1、晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
2、晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。
3、晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
4、可关断晶闸管是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。GTO既具有普通晶闸管的优点(耐压高、电流大、耐浪涌能力强、价格便宜),同时又具有GTR的优点(自关断能力、无须辅助关断电路、使用方便),是应用于高压、大容量场合中的一种大功率开关器件。
扩展资料:
可关断晶闸管(GTO)又称门极可关断晶闸管或门控晶闸管,是晶闸管的一种派生器件。它的主要特点是门极加正脉冲信号触发管子导通,门极加负脉冲信号触发管子关断,因而属于全控型器件。
可关断晶闸管既保留了普通单向晶闸管耐压高、电流大的特性,又具备了自关断能力,且关断时间短,不需要复杂的换向电路,工作频率高,使用方便,但对关断脉冲信号的脉冲功率和门极负向电流的上升率要求较高。可关断晶闸管是理想的高压、大电流开关器件,广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域。
参考资料来源:百度百科-可关断晶闸管
参考资料来源:百度百科-三极管
参考资料来源:百度百科-二极管
参考资料来源:百度百科-晶闸管
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