半导体的光电效应是什么

光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。光照射到金属上，引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应。光电效应分为光电子发射、光电导效应和阻挡层光电效应，又称光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。

半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感.纯度很高的半导体材料称为本征半导体,常温下其电阻率很高,是电的不良导体.在高纯半导体材料中掺入适当杂质后,由于杂质原子提供导电载流子,使材料的电阻率大为降低.这种掺杂半导体常称为杂质半导体.杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体,靠价带空穴导电的称P型半导体.不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时,因电子（或空穴）浓度差而产生扩散,在接触处形成位垒,因而这类接触具有单向导电性.利用PN结的单向导电性,可以制成具有不同功能的半导体器件,如二极管、三极管、晶闸管等.此外,半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感,据此可以制造各种敏感元件,用于信息转换.

半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度.禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量.电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力.非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性.位错是晶体中最常见的一类缺陷.位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度,对于非晶态半导体材料,则没有这一参数.半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别 ,更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下,其特性的量值差别.

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