功率半导体die尺寸

1. 本发明涉及一种半导体晶圆die尺寸的测量方法。 背景技术:

2. 目前,半导体光刻/缺陷检测过程中,需要获得准确的die的大小,用于后续的缺陷检测。

3. 现有技术一般是通过测量晶圆上临近的几个die,手工测量die的大小,这种方式有如下问题: 4.1、测量die的大小 *** 作比较复杂,需要手工测量多个die的大小

X技术

半导体晶圆静电卡盘有多种形状、尺寸和材料可供选择。它们通常是圆形的，比晶圆尺寸稍大。常见的尺寸范围从直径50毫米到超过300毫米。

大多数卡盘具有圆形(同心)环真空设计，并且通常会夹持小管芯、部分晶片和整个晶片。例如，150毫米(6英寸)卡盘将具有真空环图案，允许夹持单个芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米晶圆。 硅集成器件和电路的物理尺寸对晶片器件的处理施加了一定的限制。

在这方面，我们将开始与探针站的讨论，这是处理硅片或die芯片的关键设备，并为晶片探测提供了机械力学设备。 我们会向读者介绍通常用于射频和微波器件表征的共面波导探针。 测量装置的另一个重要部分是校准衬底基板，它允许我们在实际测量之前校准设置。

最后，我们会向读者介绍由探针站及其所有附件组成的整个测量装置以及矢量网络分析仪(VNA)。 不熟悉的读者可能认为这些设备微不足道，但它们在表征过程中起着至关重要和独特的作用。

在测试装置和测量仪器之间，使用晶片探针和任何其他同轴传输介质提供信号传播手段。 对于线性器件的宽带频域表征，我们通常使用矢量网络分析仪(VNA)作为选择的仪器。 在一个单一的测量设置中连接所有上述部分可能显得微不足道，但只有那些熟练的专家才能真正理解所有的技术细节。 本文的目的是引导读者通过微波微波表征过程，并介绍必要的设备。

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