半导体材料的应用及发展趋势

半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

一、半导体材料主要种类

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。

（半导体材料）

2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。

（半导体材料元素结构图）

半导体材料

三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。

3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。

4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。

二、半导体材料实际运用

制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。

（半导体材料）

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。

三、半导体材料发展现状

相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，

半导体材料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。

（半导体材料）

美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。

日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。

芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。

半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。

与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。

四、半导体材料战略地位

20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式

01

半导体设备、中微公司

中微公司是国内稀缺的半导体设备龙头，刻蚀设备与 MOCVD设备为核心业务，收入占比 57%/22%，同时拓展其他泛半导体关键设备。泛半导体包含集成电路、LED、光伏电池等领域， 在制造环节中具有相似性 。其中以集成电路制造最为复杂，需完成数百道加工工序，涉及半导体设备达数十种。

光刻、刻蚀、薄膜沉积设备是集成电路前道工艺中最重要三类设备，设备价值量占比分别约25%/24%/21%。 2020年营收规模全球前10的半导体设备厂商半数布局了刻蚀设备领域，前五厂商中，应用材料、泛林半导体、东京电子均为刻蚀设备头部厂商。 中微公司以刻蚀设备起家，再向其他泛半导体设备拓展时，具备天然优势。 参考泛林半导体成长之路，中微公司未来将打造半导体设备平台公司， 机构预计公司未来三年中微公司的收入复合增速为34% 。

2020年全球半导体设备市场约924.1亿美元，同比+18.4%。全球及国内半导体设备市场在2021-2025年将持续同比增长+13-15%及20-30%。 但半导体设备的前十五强公司均为欧美日韩厂商，中国大陆厂商在全球市场占比仅约2%左右，国产替代空间较大 。其中

（1）全球刻蚀设备以干法刻蚀设备为主，市场约140亿美元，预计2020~2024年年复合增速为5.8%。刻蚀设备市场高度集中，2019年，泛林半导体（52%）、东京电子（20%）、应用材料（19%）分列刻蚀设备前三。中微公司是国内唯一兼具CCP/ICP两种刻蚀技术的企业，产品线覆盖65nm-5nm各制程，已获得批量订单。中微公司的产品性价比高，例如：公司双反应炉产品相较于竞争对手可降低30%-50%的生产成本和占地面积； 目前中微公司在CCP刻蚀全球市占率约3%，ICP刻蚀市占率不足1%，国产替代已步入快车道 。公司拟定增募资扩充刻蚀设备产能630腔/年，2026年达产后产能将较2021年提升6倍。假设新增产能在2030年产能满载， 预计2030年公司刻蚀设备收入达77.52亿元，2020~2030年复合增速预计为19.7%。

（2）2020年全球半导体薄膜沉积设备市场规模约172亿美元，预计2020~2025 年复合增速约为14.6%，其中 MOCVD设备市场约8.4亿美元，预计2020~2025年复合增速约为8.5% 。CVD设备市场由海外巨头寡头垄断，2020年前三强市占率达 70%，其中MOCVD设备前三强市占率高达98%。 中微公司MOCVD市占率为16%。中微公司 MOCVD 设备业务过去主要应用于照明 LED 市场 。随着Mini LED渗透率提升，机构测算2021~2024年，Mini LED芯片合计需消耗4寸片46.69、190.3、392.1、694.2万片，对应每年对MOCVD需求量达23、95、196、347腔。

02

建材、海螺水泥

国内水泥龙头：海螺水泥今年上半年收入804.33亿元，同比+8.68%；归母净利润149.51亿元，同比-6.96%；主要是煤炭价格大幅上涨，燃料成本增加明显，导致利润同比下滑。 今年上半年专项债发行进度仅完成了全年的30%，下半年专项债发行和基建投资有望提速。 进入9月份，全国水泥市场将步入旺季，需求有望回升。

长期来看，中国水泥行业虽然需求见顶，但根据国外情况，在需求见顶后，水泥需求还会在高位平台维持数年甚至十余年才会缓慢回落，可认为水泥需求基本稳定。水泥的同质性很强，企业核心竞争力在于低成本。 海螺水泥通过难以模仿的T型发展战略，生产成本在行业最低。2019年海螺水泥吨成本179元/吨，远低于行业（208元/吨）。 海螺水泥产量占全国20%左右， 未来增长在于：

（1）产品高端化。 国家出台政策要取消32.5级的低端水泥。2019年海螺收入中，42.5级水泥占比50%、32.5级水泥占比13%，42.5级水泥吨售价比32.5级水泥高30元/吨左右。 随着32.5 级水泥的退市，预计公司毛利将进一步提升。

（2）骨料规模增长。 骨料主要用于与水泥合用以拌制混凝土或砂浆。参考世界老牌水泥公司，成熟阶段骨料和水泥的销量在1:1与2:1之间，公司2019年水泥熟料自产品销量3.23亿吨，骨料销量仅为3140万吨，预计骨料业务有3.5-6亿吨的销量空间。同时， 海螺规划规划2020年骨料产能达1亿吨，2025年产能目标达到2-3亿吨。

（3）海外市场扩张。 2019年末，海螺海外熟料投产产能1094.3万吨，主要集中在经济增速较快的东南亚地区。 公司规划2025年海外产能达7000万吨，收入占比达15%-20%。

03

电子烟、思摩尔国际

港股电子烟龙头：思摩尔国际今年上半年收入69.5亿元，同比+79.2%；经调整后的净利润29.75亿元，同比+127%。长期来看，相对于传统卷烟，电子烟和HNB（加热不燃烧）既具有减害效果，又能较好地满足烟民解瘾需求。 只要烟草消费长期存在，烟民转向电子烟和HNB的大方向就是确定的。 机构预计2024年全球电子烟和HNB销售额（零售口径）将分别达到1115亿美元和325亿美元， 五年的年复合增速分别达25%和40%。 从 历史 来看，思摩尔的增速还会高于电子烟行业增速。

思摩尔国际是全球电子雾化设备的代工龙头，主要生产将烟油进行雾化的加热器件（陶瓷雾化芯），它在电子烟中的地位相当于笔记本电脑中的英特尔。思摩尔的陶瓷雾化芯技术门槛很高， 2019年思摩尔在雾化烟制造环节的市占率为16.5%，超过第2-5名的市场份额总和。 以电子烟最大的美国市场为例，电子烟上市需要经过烟草上市前申请（PMTA），美国PMTA审查要耗费企业很多时间和资金。一旦更换雾化芯等重要组件，将意味着产品整体需要重新研究测试。 由于客户更换供应商将面临重新申请PMTA的风险，因此下游客户通常不会更换雾化芯供应商，使得思摩尔对下游具有很强议价权 ，盈利能力非常强。

思摩尔产能并不饱和，2019年实际产量相比设计产能仍有60%的提升空间；此外， 江门一期/江门二期/深圳产业园预计于2022-2024年陆续投产，设计产能相比目前将进一步提升47%/111%/138% ，产能释放将带动思摩尔业绩增长。

自美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后，固体图像传感器便得到了迅速发展，成为传感技术中的一个重要分支。

图像传感器近期更是成为市场上不容忽视的焦点，形成了半导体行业最炙手可热的领域之一。目前CCD图像传感器和COMS图像传感器(CIS)是被普遍采用的两种图像传感器。

CCD图像传感器是通过将光学信号转换为数字电信号来实现图像的获取、存储、传输、处理和复现。光学信号转化为数字信号由CCD感光片完成。CCD感光片由三部分组成，即镜片，彩色滤镜和感应电路，大致的形状和运作方式已经定型。

CMOS图像传感器(CIS)是模拟电路和数字电路的集成。主要由四个组件构成：微透镜、 彩色滤光片(CF)、光电二极管(PD)、像素设计。 CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成这几部分通常都被集成在同一块硅片上。其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。

据MarketsandMarkets称，因CCD具有更高的分辨率和光敏性，因此传统上占据了最大的市场份额。但就目前市场而言，CIS因其成本效益、快速处理速度和低功耗等特性而广受大众关注且认为其最有发展潜力的。因其尺寸小、功率低、易集成、帧速率更快和制造成本更低等自身优势，预计将占领市场的主导地位。

受益于ADAS及自动驾驶的需求拉动，汽车 CIS 市场趋势也是不容小觑。大数据表明未来 5 年汽车 CIS 市场将保持20%的年均复合增速，市场规模有望从2019年9亿美元快速成长至 2023的19 亿美元，增速高于其他 CIS 细分市场。而根据Yole 数据，2018年全球汽车搭载2颗及以上CIS的汽车渗透率仅为 34%，2021年该数值有望成长至 60%，单车搭载的摄像头颗数将快速提升。而目前汽车CIS市场是由安森美作为主力军的，2018 年在全球车用 CIS 领域的市占率达到 62%，而豪威在汽车CIS市场紧随其后，市占率为 20%。虽然索尼在全球 CIS 市场占据绝对领导地位，但由于汽车厂商对 CIS 的要求不同于手机，耐高温、防撞等可靠性指标是主要衡量标准，同时车厂的验证时间也较长，在汽车领域安森美和豪威比索尼略有优势。

一、CIS行业整体情况

谈到CIS市场就不能不提到龙头—索尼，2018年索尼市占率达到51%，三星与豪威分列二、三位，市占率分别为20%、10%，前三名合计市场份额达到81%，市场份额集中度较高。细分市场来看，2018年智能手机 CIS 龙头仍为索尼，市占率达到 54%，得益于三星在全球智能手机市场的领先地位，三星电子智能手机用 CIS 市占率达到 22%，豪威则市占率达到 11%。

安防市场市占率则较为分散，2018 年索尼、豪威、三星位居前三，SK 海力士、松下、格科微等厂商也具备一定竞争力。 

二、CIS市场需求量

2020年，随着上游晶圆的产能愈发紧张，CIS芯片的供货缺口也进一步加大。根据市场数据不难发现，CIS严重存在供应不求：5M及以下的CIS出现了两次大规模涨价，而涨价的厂商大都分布在我国大陆地区，其中，格科微的缺货情况尤为明显，为缓解压力，格科微不得不在短期内两次上调产品价格，整体涨幅至今已接近40%。此外，思比科、比亚迪等多家CIS芯片厂商同样有调价 *** 作。CIS出现缺货主要是需求爆发而产能不足，贸易战下，多数晶圆厂的产能优先提供给大客户，小客户的单被砍掉后相关芯片自然就缺货了。而需求的快速增长主要来源于多摄像头在智能手机市场的普及率大幅度提升，并扩散至中低端机型，造成市场对中低端CIS产品需求增加。除智能手机外，汽车电子、安防监控等终端产品摄像头数量成倍增加也是CIS市场的需求快速增长的原因之一。

根据市调机构IC Insights统计，2019年CIS全球出货量达到61亿颗，销售额估较2018年成长9％、至155亿美元，可望连续八年刷新纪录，今年可望成长4％、到161亿美元，此趋势将延续至2023年有望突破95亿颗形式。目前CIS最大终端应用在智能手机，但从成长性来看，汽车领域爆发力最强，至2023年销售额年复合成长率（CAGR）估达到29.7％、上看32亿美元；占整体CIS比重达15％。

三、CIS与CCD工作原理

有人就会疑惑CIS市场真的像这些数据表现的如此优越吗？那么我们就需要先去了解其基本工作原理：我们把接收到的光当做密集的雨点，把像素点比作水桶。CCD上的“水桶”按列平行排布，每一列再逐列传给转移桶(信号读取)，然后将数据一起打包放大输出(数据传输)，完成数据转换。而CIS上的“水桶”则是同时运作接收“雨滴”，即同时接收并读取光信号，并且每个像素点单独配置了信号放大器，能直接将电信号直接传输给电路板。

四、CIS与CCD差异区别

所谓：“尺有所短，寸有所长。”CIS也是如此，CIS与CCD确实相比有很多突出的特点，如体积小、功耗低、成本低，但CIS仍然面临一些不可以避免的问题，如散热性、分辨率、灵敏度、信噪比等。

CIS与CCD光信号采集方式不同，CCD采取的是被动式，而CIS则采用的是主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出。CIS在处理快速变化的影像时，电流会频繁变化并且流量增大从而导致其过热。这个问题也是CIS供应商一直以来所考虑的，所以对IC封装材料的选择上更是精心筛选。而在一众IC封装材料中，陶瓷电路板因其自身的载流量大符合CIS电流量要求就已领先一步，再者陶瓷本身材质散热性好、与其匹配的热膨胀系数的优势更是很好解决了CIS电路频繁变化而导致的过热的问题并且可以使其保持恒温状态。

由于CIS每个像素包含了放大器与A/D转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，以致于CIS的灵敏度较低，CIS供应商一直在为减小像素间距而努力。只有图像传感器的像素越多，分辨率也越高。

但是，随着像素间距尺寸与光的波长越来越接近，像素缩小变得越来越困难。豪威科技（OmniVision）工艺工程负责人Lindsay Grant表示：“现在研发团队必须找到新方法来避免灵敏度降低和传感器的串扰增加。”而另一种趋势则是CMOS图像传感器的像素大小保持不变，改进方向从减少像素尺寸转向提高图像质量。

不论是减小像素间距还是减少像素尺寸，都无疑是在说明会对该集成电路精密度会越来越高，这就意味着该器件的集成度要高，运行速度要快、性能要好，物联网系统中传感器精密对于系统在布置时也意味着更加方便、性能更优。但与此同时，对硬件的要求也就随之提升，其中的核心就是传感器芯片了，市场上的普通PCB远远不能满足CIS的要求，而陶瓷电路板却有着可进行高密度组装，线/间距(L/S)分辨率可以达到20μm优势，从而实现设备的集成化、微型化，达到CIS的要求。

CIS的信噪声也是一直以来让其供应商大感头疼的，相较于CIS而言,CCD芯片的衬底偏压稳定性更好且芯片上的电路更少，所以拥有更显着的低噪优势，甚至达到无固定模式噪声的水平。CIS成像器件集成度高，各光电元件、电路之间距离很近，相互之间的光、电、磁干扰严重，噪声对图像质量影响很大。

CIS器件集成度高也是其优势所在，所以从芯片的稳定性上寻找方法更为合适。而陶瓷电路板采取DPC薄膜技术，利用磁控溅射的工艺将铜与陶瓷基板相结合起来，所以陶瓷电路板的金属的结晶性能好，平整度好、线路不易脱落并具有可靠性稳定的性能，能够很好的减少CIS噪声从而降低对于图像质量的影响。

斯利通陶瓷电路板除上述优势外，就其导电层可根据电路模块需要设计任意电流，即铜层越厚，可以通过的电流越大，斯利通陶瓷基板的厚度是可以在1μm～1mm内任意定制，可以与CIS需求导电层高精准匹配。

陶瓷电路板更具有三维基板、三维布线，抗腐蚀性好，使用寿命长等独有优势，更有助于CIS的性能、特点巩固加强。据市场调查分析，陶瓷电路板早已在发达国家中广泛应用，陶瓷电路板以其绝对的优势成为了世界级传感器厂商的掌上明珠。

五、CIS未来可期

目前，CIS正朝着高分辨率、高动态范围、高灵敏度、高帧速、集成化、数字化、智能化的方向发展。不可否认，CIS有着不可抗拒的广阔的市场以及良好的发展前景。

未来新兴市场对CIS的需求，同样也是中国CIS厂商发展的新机会。

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