不过得提醒你，你得先假定一个活化能Ea值．
补充一句：你的实验数据不够，没法直接算出Ea值．所以你得从标准里找一个推荐值，或者用一个行规值．另外提醒一句，FIT在不同的温度，不同的CL( Confidence Level)情况下，值是不一样的． 附件里算出的FIT值为FIT= 0.338@40C, 60%CL
硬件开发经验高速数字电路中的电气隔离
KA_IX
786浏览 2021-12-10 15:18:23
介绍
本文主要介绍什么是电隔离以及高速数字电路中的电气隔离。本应用说明书概述了高速数字电路中电隔离的必要性、实施方法和特点。本文讨论了光、磁（感）电（容）信号在隔离层上传输的优缺点。特别介绍了ISO72x系列数字电容耦合技术在隔离器中的应用。
什么是电气隔离测试？电气隔离测试是什么意思？
一、电气隔离定义
电隔离是将具有非理想效果的部件与其他部件分开。在电子电路中，电介质是通过阻断直流电来隔离的。隔离电路如何在更大的电气系统中工作？这个问题的答案是本文的主题。随着德州仪器和其他供应商推出的产品数量不断增加，传输隔离信号的选择也在增加，这也使得设计师对产品的选择更加复杂。本文介绍了隔离器的重要特性，并说明了产品之间的异同。
在回顾了电路隔离的必要性后，讨论了介质信号传输和模数隔离器的三种方法，并对每种数字隔离器的实例进行了描述和比较。换句话说，电隔离是一种腐蚀控制方法。导体容易受到来自不同金属的杂散电流的腐蚀。为这些导体提供良好的隔离，这样可以显著地控制腐蚀。
电气隔离是由一个机械开关实现的，当需要时，它将部分电路与主电源系统隔离。
二、电气隔离意义
隔离电路的主要原因是保护电路不受危险电压和电流的影响。在图1的医疗应用示例中，即使是很小的交流电流也会造成致命伤害，因此需要一个隔离层来保护患者。隔离还可以保护敏感电路免受工业应用中出现的高电压的影响。图2中的工业示例只是一个高压测量。将传感器与实际高电压隔离，可以测量低压电路。
图1：医疗应用示例
图2：工业应用示例
保护的原理是隔离各种系统或电路中可能出现的高电位。在图3所示的电缆应用程序中，一个远程驱动程序与接收器隔离。经过如此长的距离，地面可能处于不同的电压。通过隔离，在隔离器中形成电压差而不是敏感电路。
图3：装置间的接地电压差
如图4所示，隔离中断与其他电路元件有关的高阻抗电路路径形成的回路。通过中断环路，噪声电压出现在隔离层上，而不是接收器或更敏感的部件上。高噪声电压可由外部电流或电压源（例如感应电动机和雷电）耦合。
图4：隔离中断电路路径形成的回路
三、电路隔离器
在允许通过电磁或光链路传输模拟或数字信号的同时，电路隔离器防止电路之间的低频电流。数字隔离器传输二进制信号，而模拟隔离器在隔离层传输连续信号。在模拟和数字隔离器中，工作电压和峰值额定电压以及共模瞬态抗扰度是隔离层的重要特性。当隔离数字信号时，隔离电路的这些重要特性是输入和输出逻辑电压电平、信号速率、数据运行长度和自我保护响应。
传统上，变压器、电容器或光电二极管、晶体管和分立电路都根据输入和输出信号进行调节，以满足特定的需要。这种方法是有效的，但它不能从一个应用程序转移到另一个应用程序。虽然这可能会保留模拟隔离器，但市场上已经出现了新一代数字隔离器，它使用创新电路以超过100mbps的直流信号速率隔离标准数字信号。这些通用数字隔离器各有优缺点。以下章节将介绍各种技术，并将特定产品与TI的新ISO72x系列进行比较。
3.1光耦合技术
光耦合是指光在透明的绝缘层（如气隙）上的传输以进行隔离。图5显示了数字隔离器的主要组件。电流驱动器使用数字输入并将信号转换成电流来驱动发光二极管（LED）。输出缓冲器将光电探测器的电流输出转换为数字输出。
图5：基本光学耦合机制
光耦合技术的主要优点是光天生不受外界电子或磁场的影响，而光耦合技术允许恒定的信息传输。光耦的缺点主要体现在限速、功耗和LED老化等方面。
光耦的最大信号速率取决于LED开关的速度。从目前现有产品来看，最快的光耦HCPL-0723，其信号速率可以达到50Mbps。
输入到输出的电流传输比（CTR）是光耦合器和led的一个重要特性，通常需要10mA的输入电流才能实现高速数字传输。这个比率调整用来驱动LED的电流和光电晶体管产生的电流。随着时间的推移，led的效率越来越低，需要更多的电流来产生相同亮度和相同输出电流的光电晶体管。在许多数字隔离器中，内部电路控制LED驱动电流，用户无法补偿下降的CTR。LED的优势被削弱了，隔离器不再像以前那样高效工作。
3.2电感耦合
感应耦合技术利用两个线圈之间不断变化的磁场在隔离层上进行通信。最常见的例子是变压器，其磁场取决于一次绕组和二次绕组的线圈配置（每单位长度的匝数）、铁芯的介电常数和电流振幅。图6显示了一个带有信号调节电路模块的变压器。
图6：电感隔离
感应耦合的优点是可能的共模差分和差分传输特性。设计良好的变压器允许噪声和信号频率重叠，但会表现出高噪声共模阻抗和低信号差分阻抗。另一个优点是信号能量传输效率可以接近100%，使得低功耗隔离器成为可能。
感应耦合技术的主要缺点是外部磁场的磁化（噪声）。工业应用通常需要磁场隔离。例如，运动控制。数字变压器传输的另一个缺点是数据的运行长度。信号转换器在一定的频率和幅度范围内传输信号，其失真是可以接受的。为了使信号保持在可用的变压器带宽内，需要数据运行长度限制或时钟编码。
采用感应耦合的通用数字隔离器在传输低频信号（1或0个长字符）的同时，需要信号处理来传输和重构数字信号。NVE/Avago的Isoloop和ADI（模拟设备公司）的iCoupler使用编码功能并提供支持DC-100Mbps *** 作的数字隔离解决方案。
ADUM1100是模拟器件ic耦合器技术的一个例子。ADUM1100使用一个基本的变压器跨隔离栅传输信息。这种Isoloop技术（例如HCPL-0900）用电阻网络代替了次级线圈，如图7所示。电阻是由巨磁电阻（GMR）材料组成，它随磁场的作用而变化。电路感应电阻的变化并满足其输出条件。当交流性能得到改善并超过现有光耦合器的性能时，该技术被引入市场。现在，随着ADI的数字隔离器和TI的ISO72x系列器件的引入，这些Isoloop器件的性能已经被超越。
图7:GMR结构
3.3电容耦合
电容耦合技术利用不断变化的电场在隔离层上传输信息。每个电容器板之间的材料是一个介质隔离器，形成一个屏障。板的尺寸、板之间的间距和介电材料都决定了电性能。
图8：电容耦合
使用电容隔离层的优点是尺寸和能量传输效率高，以及对磁场的免疫力。前者使集成低功耗、低成本的隔离电路成为可能；后者使得在饱和或高密度磁场中工作成为可能。
电容耦合技术的缺点是没有差分信号和噪声，信号共享同一个传输通道，这与变压器不同。这要求信号的频率明显高于噪声的预期频率，以便隔离电容器显示信号的低阻抗和噪声的高阻抗。在感应耦合的情况下，电容耦合不能传输稳态信号，需要时钟编码的数据。
3.3.1 TI引入ISO72x--电气隔离试验
TI公司介绍了采用电容耦合技术的ISO72x系列隔离器。电容耦合解决方案采用成熟、低成本的制造工艺，磁场具有固有的抗扰性。
为了提供恒定的信息传输，ISO72x使用高信号速率和低信号速率信道进行通信，如图9所示。高信号率信道不编码，它通过隔离层上的单端差分转换传输数据。低信噪比信道以脉宽调制格式编码数据，并在隔离层上进行差分传输，以确保在恒定条件下（长1和0个字符）进行精确通信。
单端逻辑信号的差分传输隔离层允许使用低电平信号和小型耦合电容器。这为共模噪声提供了高阻抗，并通过抑制接收机上的共模噪声提供了极好的瞬态抗扰度。这是信号电容耦合需要解决的主要问题。
表4：可靠性测量
3.4隔离性能
三个主要标准验证了隔离保护的必要性，即UL 1577、IEC 60747-5-2和CSA。尽管每个标准略有不同，但它提供了一个比较隔离性能的标准。通过IEC、UL和CSA测试，确认输入和输出之间的电压超过介电击穿范围。这些标准的使用非常简单，因为测试标准与隔离方法无关。图10显示了隔离测试如何将隔离器视为两个终端设备。虽然每个器件的物理结构不同，但隔离测试是在介质击穿电压下进行的。
图10：隔离试验
ISO72x系列隔离器通过UL 1577、IEC 60747-5-2、IEC 61010-1和CSA进行测试。表1显示了这五种设备的隔离性能，说明了三种隔离技术。
设备
使用的技术
UL1577(VRMS)
IEC 60747-5-2，电压(Vpp)
IS0721
电容隔离
2500
560
成人1100
电感隔离
2500
560
HCPL-0900型
电感隔离
2500
Now reviewed
HCPL-0721/
HCPL-0723
光隔离
3750
560
表1：隔离性能
UL、CSA和IEC三种测试方法都是对绝缘质量的测试。UL和CSA测试是使用制造商设定的时间来测试介质击穿电压的压力测试。电介质击穿是该试验失败的一个征兆。IEC测试使用一种称为局部放电的现象来检测电介质中的空隙。向设备施加一个大电压，这是制造商定义的工作电压的函数，然后降低到另一个电压等级Vm。在这种低电压应用中，被测设备被监测介质中的无效局部放电。这些低效率导致了整个电介质的最终崩溃。
3.5瞬态抗扰度
高转换率（高频）瞬变会干扰隔离层上的数据传输。隔离电容器提供如图11所示的路径，允许瞬态事件通过隔离屏障并破坏输出波形。法拉第屏蔽使光耦或感应耦合器中的这部分位移电流远离重要的输出结构。
图11：隔离器电容
在电容耦合解决方案中，法拉第屏蔽不是一个可行的解决方案。除了瞬变，法拉第屏蔽层还可以屏蔽用于数据传输的电场。为了提供瞬态抗扰度，ISO72x系列电容隔离器仅传输fo信号（仅代表最高频率能量的数据信号）。
这使得耦合电容具有高频噪声频率。另一种噪声来自于在隔离层上传输数据的差分技术。图9显示了通过电容隔离层的四个信号；其中两个包含低信号率信息，另两个包含高信号率信息。通过使用差分技术，任何通过隔离屏障的剩余共模瞬态都可以在真实信号和补偿信号中看到，并且差分接收器可以抑制它们。如表2所示，ISO72x系列器件的瞬态抗扰度高达25kV/us，与其他同类器件相当。
设备
使用的技术
瞬态抗扰度
IS0721
电容器瞬态抗扰度
25
ADuM1100
电容器瞬态抗扰度
25
HCPL-0900
电容器瞬态抗扰度
15
HCPL-0721/HCPL-0723
光瞬态抗扰度
10
3.6自动保护
数据线电路和数字隔离器需要注意输入信号和输出状态的损失。当电缆断开或直接从隔离器输入端切断电源时，可能会出现输入损耗。自动保护是指输入丢失时的确定或已知的输出状态。ISO72x系列使用周期性脉冲来确定输入结构是否通电和工作。如果隔离器输出在4us后没有接收到脉冲，则输出设置为高状态。ADUM11 ADUM1100还在IC的输出端口集成了一个自动保护电路。Anwar Technology推出的光学解决方案（HCPL-0721和-0723）并未提及自动保护，而感应式GMR解决方案（HCPL-0900）则明确描述了功率排序过程中输出的不确定性。
3.7功耗
除了隔离层的信号传输效率外，输入和输出调节电路的设计与功耗最相关。比表中所示的光耦合器或电容器消耗更多的功率。
器件型号
使用的技术
Vcc1 and Vcc2
Icc1(mA)
Icc2(mA)
功耗（mW）
ISO721
电容耦合
5
1
11
60
3.3
0.5
6
21.5
ADuM1100
电感耦合
5
0.8
0.06
4.3
电感耦合
3.3
0.3
0.04
1.2
HCPL-0900
电感耦合
5
0.018
6
30
3.3
0.01
4
13.2
HCPL-0721
光耦合
Only 5
10
9
95
HCPL-0723
光耦合
Only 5
10
17.5
137.5
表3：静态电源电流
3.8可靠性
平均失效时间（MTTF）是衡量半导体器件可靠性的标准方法。对于数字隔离器，这种测量显示了集成电路和隔离机制的可靠性。表4显示了光学、电感和电容数字隔离器的MTTF。与感应和光学解决方案相比，ISO721是非常可靠的。
典型值，60%置信度
典型值，90%置信度
设备
使用的技术
环境温度
MTTF
（小时/故障）
PIT
（故障/10 nine小时）
MTTF
（小时/故障）
PIT
（故障/10 nine小时）
ISO721
电容耦合
125
1,246,889
802
504,408
1983
HCPL-0900
光耦合
125
288,118
3471
114,654
8722
HCPL-0721
光耦合
125
174,617
5727
69,487
14,39
表4：可靠性测量
ADUM1100可靠性数据表没有明确说明MTTF，但它提供了可靠性测试的结果。表5显示了ISO721和ADUM1100可靠性测试参数。
器件型号
使用的耦合技术
结温
时间（小时）
样品数量
不合格品
ISO721
电容耦合
150<TJ<175
1000
344
0
ADuM1100
电容耦合
150<TJ<175
500
231
0
表5：原始可靠性数据
3.9外部磁场抗扰度
图12比较了ADUM1100和ISO72x的磁场抗扰度（未找到HCPL-0900的数据）。相对而言，虽然这两个例子对磁场有一定的免疫力，但ISO72x提供了更大的裕度。如前所述，光耦隔离电路对外部磁场具有固有的磁化抗扰度。
图12：对外部磁场的敏感性
四、电气隔离结论
降噪和噪声保护使隔离器广泛应用于中断接地回路和隔离接地电压差的电子电路中。设计人员现在有许多数字信号隔离的选择，包括TI的ISO72x系列的关键功能。如信号速度、介质击穿电压、瞬态冲击电阻、功耗、磁场抗冲击性和可靠性等各方面都有良好的表现。表6总结了本报告中讨论的示例的特点。
设备
使用的技术
VCC（V）
信号速率（Mbps）
UL1577（VRMS）
Transient immunity (V / s)
功耗（mW）
磁场抗扰度
可靠性（MTTF），60%置信度（小时/故障）
ISO721
电容耦合
3.3或5
150
2500
25
60
+
1.25M
ADuM1100
电感耦合
5
100
2500
25
4.3
3.3
50
1.2
HCPL-0900
电感耦合
5
100
2500
15
30
288K
3.3
13.2
HCPL-0721
光耦合器
5
25
3750
10
95
++
175K
HCPL-0723
光耦合器
5
50
137.5
++
表6：不同数字隔离器参数
五、常见问题
1电隔离是什么意思？
电隔离是将具有非理想效果的部件与其他部件分开。在电子电路中，电介质是通过阻断直流电来隔离的。
2为什么电气隔离很重要？
所有电气装置至少在消耗计量点有隔离装置。隔离的目的是防止触电、烧伤和d道——电弧闪光的影响。。。隔离应保持安全，以防止电源重新连接。
3电隔离的类型是什么？
根据电力系统的位置，隔离器可分为母线侧、线路侧和转换母线侧三种类型。
4隔离变压器的优点是什么？
隔离变压器的另一个优点是可以减少电涌。由于电源的直流信号是隔离的，所以电气设备可以平稳运行而不存在电涌的风险。这意味着即使出现电源故障，设备也可以在高水平上运行。
5如何进行隔离测试？
通常情况下，您将两根导线（正极和负极）连接在绝缘屏障上。第三根导线连接到保护端子，可能在您的测试仪中可用，也可能不可用。如果是，你可能需要也可能不需要使用它。
6什么是隔离PLC？
过程控制模拟输入模块中的隔离。电流隔离是物理上和电气上分离两个电路的原理，这样就没有直接的传导路径，但是数据和电力仍然可以交换。这通常是通过变压器、光耦或电容器来实现的。
7什么是电源隔离？
一个隔离的电源有一个与它的电源输入电独立的电源输出。。。当一个电源有多个隔离的电源输出时，这意味着输出电压彼此独立，并且输出之间没有连接。
8隔离器和断路器的区别是什么？
隔离器和断路器之间的主要区别在于，隔离器在卸载条件下断开电路，而断路器在有载条件下断开电路。。。隔离器和断路器的 *** 作、功能和承受能力。
9隔离变压器能防止触电吗？
隔离变压器提供电流隔离；电源和负载之间没有导电路径。这种隔离用于防止电击，抑制敏感设备中的电噪声，或在两个不能连接的电路之间传输功率。
10为什么工厂和PLC CPU之间需要隔离？
这些传感器通常远离PLC本身，这意味着电缆敷设较长。这种情况通常会产生地电位差，从而使传感器数据倾斜并引入误差。需要某种形式的隔离以确保准确性
1 引言 高可靠半导体器件在降额条件（Tj＝100℃）下的现场使用失效率可以小于10－8／h，即小于10FIT，按照偶然失效期的指数分布推算，其平均寿命 MTTF大于108h，即大于10000年。据文献报导，电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小 一个数量级4.2 特军级晶体管
JTX2N2405为硅npn开关晶体管， PCM为1W，TO-39封装，生产日期为1974年，已经贮存了32年。特军级晶体管的质量等级高于普军级（JAN），该批器件数量较大，共206支，管芯的图形较大，ICM为1A，内引线用金丝，在管芯处为球焊键合，为70年代的典型键合工艺。在贮存期间，对电参数进行过多次检测，全部符合规范要求，仅有1支管子，小电流hFE （1mA处）有退化迹象。管子的外引线镀金层质量良好，没有锈蚀现象，任抽10支样管做可焊性试验，全部合格，气密性经检测漏率小于10?9Pam3／s。
4.3 早期的宇航级晶体管
JANS2N2222A为硅小功率开关晶体管，TO-18封装，相当于国产管3DK3，该批产品共5支，生产日期为1971年，已经贮存了35年，是美国TI公司早期生产的宇航级晶体管。经电参数检测，全部符合规范要求，hFE在微电流下也没有退化。
该管内引线采用当时典型的金丝球焊工艺，经过DPA检测，内引线键合拉力为2.9～6.5g，芯片剪切力为1.98kg。由于金丝和铝膜的键合在高温下会产生多种金铝化合物，严重时会产生开路失效，因此TI公司在80年代生产的宇航级晶体管2N2219中内引线使用铝丝超声键合工艺，消除了金铝化合物的失效模式。从DPA的数据来看，金丝球焊的键合拉力在贮存35年后，确有退化，2.9g数据为键合点脱开，6.5g为金丝拉断。该批器件的气密性良好，经检测漏率为10-9Pam3／s范围。
4.4 国产晶体管长期储存实例
国家半导体器件质量监督检验中心从1984年起对各种国产高频小功率晶体管进行了许可证确认试验，当时每个品种从工厂抽样150支，用60支分别进行高温储存、工作寿命和环境试验，其余留作仲裁用。全部样品在Ⅰ类贮存条件的试验室保存了20多年，从2006年开始进行了长期贮存器件可靠性研究，现报道其中一例。
3DG79晶体管为中放AGC专用管，生产时间为1983年，对库存100多支样管进行了常温电参数测试，全部符合规范要求，对其中5支标样进行了对比测试，发现hFE在贮存20年后平均下降了16％ （年下降率0.8％），说明存在hFE退化机理，但未超出寿命试验失效判据（30％）。
5 结论
高可靠半导体器件的贮存寿命极长，对于气密性良好的金属或陶瓷封装器件，如果内部水汽含量小于5000×10-6，外引线镀层质量良好，在Ⅰ类条件的贮存期限可达到25年，甚至更长。
我国航天部门制订的超期复验标准中对于有效贮存期订的过严，建议参考俄罗斯标准作必要的修订，作为过渡方案，可以将半导体器件的有效贮存期先放宽到5年，这在某重点工程中已证明是可行的。
国内有关部门应加强电子元器件贮存可靠性及评估技术研究，制定相应统一的标准规范。
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