这是韩国尹锡悦政府芯片产业强化战略的一部分。拥有全球最大存储芯片制造商三星和SK海力士的韩国,正寻求加强供应链的资源保障和稳定性,以打造成为该领域的“超级大国”。
韩国工业部称,将扩大对芯片产业的税收激励和支持措施。韩国芯片产业计划到2026年总计投资340万亿韩元。
其中,韩国政府和私营部门将投资3000亿韩元用于小企业创新和芯片设计公司的兼并和收购,这项投资将于明年开始。韩国还将在2024年-2030年花费9500亿韩元用于开发电力和车用芯片的可行性研究,到2029年前花费1.25万亿韩元开发人工智能芯片。
此外,韩国政府将研究在作为扩大芯片生产中心的地区——包括平泽和龙仁,为电力和水供应等生产基础设施提供更多资金。韩国政府还将考虑扩大对大公司的基础设施投资予以税收减免。
根据该计划,韩国政府和私营部门将共同努力,在10年内培训至少15万芯片行业人才,以增强劳动力储备。
2019年6月底,日本突然宣布对韩国暂停3种半导体核心原材料的供应,此举对于经济处于衰退边缘的韩国来说,无疑是一记重大的打击。
虽然如今日本在半导体行业的市场份额已经被美韩两国瓜分得所剩无几,但是在韩国进口的半导体材料中,32%来自日本。日本宣布停止供应的3种核心原材料——氟聚酰亚胺、光致抗蚀剂和高纯度氟化氢,韩国对其依赖程度分别达到93.7%、91.9%和43.9%。
即便日本之后恢复了对韩国部分半导体原材料出口,但是这一事件却让韩国半导体行业深刻意识到,对国外的依赖太严重了。随随便便的一次断供,就能扼住韩国半导体行业、甚至是整个韩国经济的咽喉。韩国工业部长宋允模也表示,尽管日本已经放松了对光刻胶的出口限制,但这并不是根本的解决方案。
与日本相比,韩国半导体技术的基础本就非常薄弱,而在三星致力于争夺半导体市场之际,日本却默默将两国的技术差距进一步扩大,这才有了日本轻易扼住韩国半导体"咽喉"的局面。对日本来说,这是本国半导体受到了韩国全面威胁后必要的战争,对韩国来讲,这是背靠大树“摸着日本过河”后必然的战争,这样的战争今后也有重燃的危险。
根据韩国产业通商资源部20日数据,今年上半年韩国进口材料·关键零部件·技术装备为1300.67亿美元,其中从日本进口200.72亿美元,占比15.4%,创下开始相关统计的2012年以来最低水平。
与10年前同期的24.2%相比,韩国对日依存度下降8.8个百分点。日本2019年7月限制对韩出口高纯度氟化氢、氟聚酰亚胺、光致抗蚀剂3种关键半导体材料,一个月后将韩国踢出日本的贸易优待白名单。此后韩国在材料·零件·装备方面的对日依存度不断下降。在从2019年上半年的16.9%小幅提高到2020年下半年的17.4%后,去年上半年大跌至15.9%,同年下半年再降至15.8%。
世界前两大芯片制造集群位于韩国的首尔以南和中国台湾西海岸。每一个都是数十年来通过政府、工业界和学术界之间谨慎、持续的合作建立起来的。这种高瞻远瞩、多方利益相关者的产业政策解释了各自集群的产业主导地位。
韩国还面临着强有力的竞争者,中国凭借大力投放的资源和摆脱外国依赖的决心,想要发展其半导体产业。中国半导体产业的崛起可能会影响韩国的技术领先地位。
“就中国而言,他们在半导体领域进行了大量投资,并且在许多方面已经领先于韩国,”电子工程教授 Cho 说。有分析指出,中国的半导体产业在全 社会 的一致努力下,将快速发展,巨大的国内市场也为其提供了机会。
此外,美国、欧盟和日本也渴望通过在该领域投入数百亿美元来重新获得自己的芯片制造基地。
面对人口减少和地缘政治不确定性,韩国经济要继续增长和繁荣,全力培育其芯片产业势在必行。
2021年5月,韩国宣布了一项高达4500亿美元的芯片投资计划,被称为“K-Semiconductor Belt 战略”,旨在将国家芯片产业提升到一个新的水平。当然,行业参与者已经宣布了大部分资本支出。
时任总统文在寅当时表示,韩国“将巩固其作为世界顶级存储半导体生产国的地位,并在逻辑半导体领域也处于全球领先地位,从而实现成为韩国综合半导体强国的目标。”
这种巨额支出将不得不继续下去。韩国未来的三个战略产业(逻辑半导体、现代 汽车 和生物制药)中,半导体产业将吸收该国的大部分投资资本和人才。
韩国发展半导体产业遇到的最大的障碍可能是韩国的监管机构。地方和国家层面的官僚作风、日益严格的环境监管、当地居民的抵制和房地产机会主义都让在韩国开展业务变得困难。
例如,三星宣布在平泽新建芯片制造厂后,该公司花了近五年时间才开始建设。
与行业内的竞争国家相比,宣布和建设之间的时间差距可能只有几个月。
很难说韩国能在芯片行业的顶峰地位保持多久。但随着国家经济的繁荣和声望,它将以前所未有的方式竞争。
中韩通讯社 韩国金禅子
三星电子8月30日表示,建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示,“以量产D-RAM产品为起点,平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线,成为高 科技 综合生产工厂,为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求,三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线,并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后,开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后,预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人,包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内,共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工,占地289万平方米,2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示,这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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