fet依靠什么控制漏极电流id的器件

不同场效应晶体管的导通电压不同，低压为3-5V，高压为5-10V。具体开启电压请参考相应型号场效应晶体管手册。

场效应晶体管(FET)简称场效应晶体管。主要有两种类型(结型场效应晶体管——JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)。由多数载流子传导，也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。它具有高输入电阻(10到10到15ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、无二次击穿、安全工作区宽等诸多优点。现在已经成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

场效应晶体管(FET)是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，因此而得名。

它也被称为单极晶体管，因为它只由半导体中的多数载流子传导。

英语是场效应晶体管，缩写为FET。

与双极晶体管相比，场效应晶体管具有以下特点。

(1)FET是电压控制器件，通过VGS(栅源电压)控制ID(漏电流)；

(FET的控制输入电流极小，因此其输入电阻很大。

(3)采用多数载流子导电，温度稳定性好；

(4)三极管组成的放大电路的电压放大系数小于三极管组成的放大电路的电压放大系数；

(5)FET抗辐射能力强；

(6)噪声低，因为它没有电子无序运动产生的散粒噪声。

场效应管的漏极电流ID是场效应管的输出电流，在漏源电压VDS、栅源电压VGS不为0时，漏极电流ID不为0。场效应管输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。VDS较小时，场效应管工作在可变电阻区，ID近似随VGS作线性变化。VDS较大时，工作在恒流区，ID保持稳定，不随VGS的变化而改变。当VDS大于某一临界值时，进入击穿区，ID开始迅速增大，场效应管不能正常工作。场效应晶体管，Field Effect Transistor，简称场效应管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。它由多数载流子参与导电，通过栅源电压VGS来控制漏极电流ID，属于电压控制型半导体器件。

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