二极管型号

二极管普遍存在于电子设备产品中。根据半导体材料，二极管可分为锗二极管和硅二极管。按管芯结构可分为点接触二极管、面接触二极管和面接触二极管。按用途可分为TVS瞬态抑制二极管、ESD二极管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管等。瞬态电压抑制器瞬态抑制二极管1)SOD-123封装:SMF3.3A-SMF35A，TPSMF13A-TPSMF58A，smf4l5.0a-smf4l85a；2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ5.0A(CA)-SMAJ440A(CA)、P4SMA6.8A(CA)-P4SMA600A(CA)、TPSMAJ10A(CA)-TPSMAJ85A(CA)、SMA6J5.0A-SMA6J58A(CA)3)DO-41封装:p4ke6.8a(CA)-p4ke600a(CA)；4)DO-15封装:SA5.0A(CA)-SA190A(CA)，p6ke6.8a(CA)-p6ke600a(CA)；5)SMB/DO-214AA封装:SMBJ5.0A(CA)-SMBJ440A(CA)、P6SMB6.8A(CA)-P6SMB600A(CA)、tpmbj11a(CA)-tpmbj170a(CA)、SMB10J5.0A(CA6)DO-201封装:1.5ke6.8a(CA)-1.5ke600a(CA)；7)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC6.8A(CA)-1.5SMC600A(CA)、SMCJ5.0A(CA)-SMCJ440A(CA)、TPSMCJ10A(CA)-TPSMCJ78A(CA)、SMDJ5.0a(CA)-TPSmdj43a(CA)、5.0SMDJ11A(CA)-5.0SMDJ440A(CA)、TP5.0smdj10a(CA)-TP5.0smdj58a(CA)；8)DO-218AB封装:SM5S10A-SM5S43A，SM6S10A-SM6S43A，SM8S10A(CA)-SM8S48A(CA)，sm8t16a(CA)-sm843a(CA)；9)R-6/P600封装:3KP5.0A(CA)-3KP440A(CA)，5KP5.0A(CA)-5KP440A(CA)，LDP10A(CA)-LDP60A(CA)，15kP17A(CA)-15kP280a10)NA包:k1076-KD076；；ESD二极管ESD二极管静电防护专用器件ESD二极管，不同厂家供应的ESD保护管型号名称不同，但封装形式是统一的。ESD二极管常用的封装形式有SOT-23、SOT-23-6L、SOD-323、SOD-323F、SOD-523、SOD-723、SOD-923、SOT-143、SOT-353、SOT-363和SOT-523。DFN-6L，DFN-16L，DFN-18L，DFN-3L，DFN0603-2L，DFN0603-D，DFN1006-2L，DFN1610-2L，DFN1610-6L，DFN2010-8L，DFN1W-5W大功率齐纳二极管1)DO-41封装:1N4728A-Z1330A，1n5919b-1n5956b；2)SMA/DO-214AC封装:SMA4728A-SZ1330A，SMA5919b-SMA5956b；3)DO-15套餐:2EZ5.6D5-2EZ330D5，3ez5.6D5-3ez200d5；4)SMB/DO-214AA封装:SMB2EZ5.6D5-SMB2EZ330D5，SMB3ez5.6D5-SMB3ez200d5；5)DO-201封装:1n5333b-1n5388b；6)SMC/DO-214AB封装:SMC5333b-SMC5388b；整流二极管1)SMA包:S1A-S1M，M1-M7，GS1A-GS1M，GF1A-GF1M；2)SMAF套餐:S1AF-S1MF、M1F-M7F、S2AF-S2MF、S3AF-S3MF、GS1AF-GS1MF；3)SMB套餐:S2A-S2M，GF2A-GF2M，GS2A-GS2M；；4)SMBF套餐:S2ABF-S2MBF，S3ABF-S3MBF，S4ABF-S4MBF，S5ABF-S5MBF，GS2abf-GS2MBF；；5)SMC封装:S3A-S3M，GF3A-GF3M，GS3A-GS3K；；6)SOD-123FL包装:S07A-S07M，A1/SOD4001-A7/SOD4007，GS1001fl-GS1008fl；；肖特基二极管1)SMA封装:SS/SK12-SS/SK110、SS/SK22-SS/SK210、SS/SK32-SS/SK320、SS/SK52-SS/SK520、BX32-BX320、10MQ040-10MQ100和10bq00。2)SMAF套餐:SS/SK12F-SS/SK110F，SS/SK22F-SS/SK210F，SS/SK32F-SS/SK320F，SS/SK52F-SS/sk520f；3)SMB套餐:SS/SK22-SS/SK210，SS/SK32-SS/SK320，SS/SK52-SS/SK520，MBRS120-MBRS100，MBRS220-MBRS2100，20bq040-20bq100；4)SMBF套餐:SS22BF-SS210BF、SS32BF-SS320BF、SS52BF-SS520BF、SS345BF、SS545BF；5)SMC包:SS/SK32-SS/SK320、SS/SK52-SS/SK520、30BQ404-30BQ100、BR32-BR320、MBRS320-MBRS3100、MBRS520-MBRS540、B320-b3100；；6)SOD-123FL封装:SDB10A20-SDB10A40，SS1040FL-SS10100FL，SS2040FL-SS20100FL，DSS/DSK12-DSS/DSK110，DSS/DSK22-DSS/。7)TO-277封装:SB1045L、SB1015L、SB1545L、SB1550L、SB1060L、PS1045L、PS1015L、PS1545L、PS1550L、PS1560L、PS1060L快速恢复二极管1)SMA封装:RS1A-RS1M、FR1A-FR1M、BYG10D-BYG10M、BYG20D-BYG20M、BYG30D-BYG30M；2)SMAF套餐:RS1AF-RS1MF、RS2AF-RS2MF、RS3AF-RS3MF；3)SMB封装:RS2A-RS2M，FR2A-FR2M；4)SMBF套餐:RS2ABF-RS2MBF、RS3ABF-RS3MBF、RS4ABF-RS4MBF、RS5abf-RS5MBF；5)SMC封装:RS3A-RS3K，FR3A-FR3M；6)SOD-123FL套餐:F1-F7，RS1001FL-RS1008FL，RS07A-RS07M；快速恢复二极管1)SMA包:MURA110-MURA1100，MURA210-MURA2100，US1A-US1M，ES1A-ES1M，ER1A-ER1M，UF1A-UF1M，HS1A-HS1M；2)SAMF套餐:US1AF-US1MF、ES1AF-ES1MF、ER1AF-ER1MF、UF1AF-UF1MF、ES2AF-ES2MF、ER2AF-ER2MF、US3AF-US3MF、US2AF-US2MF；；3)SMB包:MURS105-MURS1100，MURS205-MURS2100，US2A-US2M，ER2A-ER2M，ES2A-ES2M，HS2A-HS2M；；4)SMBF套餐:ES1ABF-ES1JBF，ES2ABF-ES2JBF，es3abf-es3jbf；；5)SMC包:MURS320-MURS360，MURS420-MURS480，US3A-US3M，ES3A-ES3M，ER3A-ER3M，UF3A-UF3M，HS3A-HS3M；https://pics7.baidu.com/feed/e61190ef76c6a7ef378af30e0a7a8158f2de66f0.jpeg?token=ead27e9996c3ad25cf000c2a4e32632e

高通骁龙888不论是发布前的玩家期待，还是发布后各种测试中发现的功耗和发热"翻车"问题都可谓是万众瞩目。有人说这是因为使用了三星5LPE工艺的原因，事实真的是这样吗？三星5LPE工艺又是什么情况呢？让我们从头说起吧：

关于半导体工艺的内容实在是非常深奥，本文只是浅显的谈一些不成熟的认识，如有遗漏和错误也请大家费心指正了。

晶体管工艺物理极限

我们常说的半导体工艺，比如40nm啊，65nm啊这些一般是指晶体管的大小或者晶体管的栅极长度。但是在22nm之后，摩尔定律其实是放缓甚至失效的，厂商对新工艺的命名也更多地是出于商业考虑了，这点上三星台积电都承认过。ARM CTO也在前几年就做过表态，半导体工艺从16nm之后基本上就没什么工艺上提升的空间了。

那后来的10nm，7nm甚至3nm是怎么做到的呢？这里就要谈到FinFET工艺：鳍式场效应晶体管了。

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名称就叫做鳍式场效应晶体管，是由加州大学伯克利分校的胡正明教授教授发明。FinEFT是将传统晶体管结构中控制电流通过的闸门设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通和断开。这样可以大幅度的改善电路控制，减少漏电流，缩短晶体管的删长。

英特尔公布的FinEFT的电子显微镜照片

所以现在的5nm，7nm并不能代表晶体管大小和晶体管的栅极长度，主要是厂商用来宣传的数字，用来表明其半导体工艺的代数。勉强可以说是FinFET工艺中Fin（鳍）的宽度，而更准确的反映半导体工艺水平的参数是芯片工艺的平均晶体管密度。

可以看出三星的5LPE工艺晶体管密度只有1.267亿每平方毫米，远低于台积电N5工艺的1.713亿每平方毫米。而Intel的10nm工艺就已经接近台积电N7+的晶体管密度了，Intel未来的7nm工艺更是达到了2.016亿每平方毫米之多，晶体管密度远高于现在的台积电N5和三星5LPE工艺。

所以也有Intel的10nm工艺虽然相当于手机的7nm一说，而 Intel的10nm工艺为什么开发了这么久也是因为按照台积电和三星的标准，Intel等于直接要从14nm跳到7nm，难度也的确很大。

而Intel的7nm工艺，平局晶体管密度比台积电5nm还要高很多，这就是很多玩家其实是很看好和期待Intel的7nm处理器的原因，但话说回来Intel的7nm也不知何时才能实装。。。但前不久英特尔也宣称公司在7nm工艺上获得重大进展，股价也因此应声大涨。

三星是比较喜欢率先使用最新的技术来抢占首发的，在7nm工艺时就率先使用了EUV光刻机，台积电N7和N7P仍使用的是DUV+SAQP光刻的方式，在工艺上此时三星是领先一些，但由于三星使用的是DDB双扩散工艺，相比台积电的SDB但扩散工艺，晶体管密度要低一些，所以使用EUV的三星7LPP，晶体管密度也仍只和台积电N7P相仿。等到台积电使用EUV光刻机的N7+登场后，晶体管密度就被拉开差距了。

回到三星的5LPE，5LPE从架构上来说相比7LPP在门间距和鳍间距等重要参数中都没有什么变化，只是使用新的标准单元库，以及引入6TUHD单元库等方式来提高晶体管的密度。算是复用了7LPP的设计，因此三星的5LPE更像是7LPP的半代升级版。从三星的迭代工艺图表也可以看出5LPE也的确属于7LPP这个大世代的迭代升级。所以从设计工艺还是晶体管密度来看三星5LPE还是处于略好于台积电N7+的程度，也许理解为"7nm++"就可以对三星5nm工艺的表现有说理解了。

所以对于骁龙888，其实如果我们能可以降低预期，看成是7LPP工艺的半代升级产品的话，就很能理解888的表现了。

虽然888的性能提升很大程度上来源于功耗的提高，但三星的5LPE还是比7LPP有升级的，在日常低功耗的使用环境中888还是可以提供优于865的表现的。在需要极限性能的 游戏 和应用中，888虽然功耗高了很多但毕竟性能也确实有明显的提升，如果能将散热控制好，比如使用手机背夹散热器，那么性能也是可以得到完全的发挥的。

并且888芯片集成了X60基带，在日常的整机5G功耗，以及成本等方面也都会更有优势。888的机器才发布就探到了3000多元的价格，也是体现了888的成本优势。

所以消费者也不用纠结还能不能买的问题，首先安卓旗舰除了888也基本是没得选（笑），其次日常使用还是会有比865更好的综合表现的，并且888的成本优势也不可忽略，芯片成本更低就意味着要么可以买到更便宜的旗舰性能的安卓手机，要么可以让旗舰机使用更好的屏幕，更好的散热来改善888机器的使用体验，不论哪种都是对消费者有利的。

台积电的N5工艺确实很好，但一方面产能早已是超负荷运转了，另一方面如果高通也使用台积电N5工艺，那么市场上就基本呈现出台积电一家独大的情况了，这样也并不是什么好事。

所以也不能说是高通被三星坑了，更不能说是小米11等手机被高通坑了，在市场和成本角度来看，这其实就是合理的选择了。

对于三星来讲，半导体工艺的重心都在很快要到来的3nm GAA工艺，台积电方面则要在2nm时进入GAA世代。但抢首发使用新工艺也会有新产品容易出现能耗问题的风险，比如当年苹果6S时的混用台积电和三星工艺的A9处理器在当年就引起了广泛的争议。。。不过不管怎么样，新的技术也是有新的突破，我们就期待好了。

以上就是本篇文章的全部内容了，谢谢大家的耐心阅读额，我们下次再见！

SDB628是一款超小封装高效率、直流升压稳压电路。输入电压范围可由最低2V伏特到最高24伏特，升压最高可达28V可调，且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管的(MOSFET)，可实现高达2A大电流。

SDB628应用电路非常简单，外围器件极少。振荡频率1.2MHZ，效率高达95%，该电路具有短路保护，过热

保护等功能。

特性

◆输入电压范围：2V to 24V

◆输出电压范围：Vin to 28V

◆开关频率：1.2MHz

◆SOT-23-6L封装

应用

◆电池供电设备

◆便携式DVD

◆移动电源

◆通讯设备

◆数码产品

◆机顶盒

◆3G网络产品

◆LCD液晶屏背光电路

◆ADSL和电缆调制解调器和路由器

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